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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司申请的专利显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639688B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210248806.7，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置是由王利忠;袁广才;宁策;王东方;雷利平设计研发完成，并于2022-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置。所述显示基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的源漏电极为同步形成的同层结构。上述显示基板，其第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的源漏电极为同步形成的同层结构。换言之，在制备显示基板时，第一薄膜晶体管的栅极和第二薄膜晶体管的源漏电极在共同的一次mask工艺中形成，而无需各自通过一次mask工艺来制备。这样就减少了一次mask工艺，具体来说，节省了一次mask工艺所需要的时间，也节省了一次mask工艺所需要的物料和设备等成本，从而一方面提高了显示基板的制备效率，另一方面也降低了显示基板的成本。

本发明授权显示基板及其制备方法、显示面板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的源漏电极为同步形成的同层结构；所述第一薄膜晶体管的源漏电极和所述第二薄膜晶体管的栅极为同步形成的同层结构；所述第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管；或者所述第一薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管；所述氧化物薄膜晶体管的有源层的上方的层结构上设置有贯穿至所述氧化物薄膜晶体管的有源层的过孔，所述氧化物薄膜晶体管的有源层通过所述过孔与像素电极连接；或者所述氧化物薄膜晶体管的有源层的上方的层结构上设置有贯穿至所述氧化物薄膜晶体管的有源层的过孔，所述氧化物薄膜晶体管的有源层通过所述过孔和与像素电极连接的转接层连接；或者所述氧化物薄膜晶体管的有源层的部分区域为经过导体化处理的导体化半导体层，所述导体化半导体层作为像素电极。

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