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龙图腾网恭喜上海朕芯微电子科技有限公司申请的专利低电容TVS器件结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210653127.8，技术领域涉及：H10D8/20；该发明授权低电容TVS器件结构及制作方法是由黄平;鲍利华;顾海颖设计研发完成，并于2022-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本低电容TVS器件结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开的一种低电容TVS结构，包括低电容二极管D1和低击穿电压TVS二极管D2，其低电容的二极管D1成型于一晶圆；低电容二极管D1中的P+区域成型在晶圆的正面；低击穿电压TVS二极管D2中的N型掺杂多晶硅柱设置在晶圆中；通过晶圆背面研磨和干法刻蚀的方法使N型掺杂多晶硅柱穿透出晶圆的背面；在晶圆的背面蒸发或溅射重掺杂P+型Ge层或者P+型Si层；低击穿电压TVS二极管D2中的多晶硅柱延伸至所述蒸发或溅射制备的重掺杂P+型Ge层或者P+型Si层中；晶圆是高阻N型单晶片。本发明还公开了该低电容TVS结构的制作方法。本发明用高阻单晶片来代替高阻外延片，完全消除高难度的外延问题。

本发明授权低电容TVS器件结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.低电容TVS结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：准备晶圆，所述晶圆为高阻N型单晶片；步骤2：对晶圆的正面进行氧化，形成一氧化层；光刻确定沟槽的位置并蚀刻相应的氧化层，接着在晶圆中蚀刻出沟槽；此沟槽对应低击穿电压TVS二极管D2中的N型掺杂多晶硅柱位置；每一沟槽的槽底不穿透所述晶圆的背面；步骤3：在每一沟槽的槽底淀积SiO2层；步骤4：在所述氧化层的表面上淀积N型掺杂多晶硅并使得N型掺杂多晶硅完全填充到每一沟槽中；步骤5：蚀刻掉晶圆表面的N型掺杂多晶硅，使N型掺杂多晶硅完全嵌入所述沟槽内，形成底部有氧化层的N型掺杂多晶硅柱；步骤6：在所述氧化层对应低电容二极管D1的位置制作低电容二极管D1的P+区域，该P+区域与所述晶圆之间形成所述低电容二极管D1；步骤7：在所述晶圆正面的氧化层上开接触孔和蒸发或溅射金属Al，形成金属Al层；对所述金属Al层进行光刻和蚀刻，制备器件的两个压焊点；其中一个压焊点与所述低击穿电压TVS二极管D2的N型掺杂多晶硅柱连接，另一个压焊点与所述低电容二极管D1的P+型区域连接；步骤8：在所述低击穿电压TVS二极管D2的压焊点上制作所述低击穿电压TVS二极管D2的金属凸块；在所述低电容二极管D1的压焊点上制作所述低电容二极管D1的金属凸块；步骤9：在晶圆表面覆盖一层环氧树脂塑封层，此环氧树脂塑封层完全覆盖所述低击穿电压TVS二极管D2的压焊点上的金属凸块和所述低电容二极管D1的压焊点上的金属凸块；然后研磨所述环氧树脂塑封层，使得所述低击穿电压TVS二极管D2的压焊点上的金属凸块的正面和所述低电容二极管D1的压焊点上的金属凸块的正面露出所述环氧树脂塑封层；步骤10：对所述晶圆的背面进行研磨和干法刻蚀，露出所述N型掺杂多晶硅柱；步骤11，去除所述沟槽底部的氧化层，然后在步骤10所形成的晶圆的背面用蒸发方法或溅射方法形成重掺杂P+型Ge层或者P+型Si层，该重掺杂P+型Ge层或者P+型Si层与多晶硅柱之间形成低击穿电压TVS二极管D2。

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