恭喜北京北方华创微电子装备有限公司林源为获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利在间隙结构中填充介电材料的方法和反应腔室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188709B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210761412.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权在间隙结构中填充介电材料的方法和反应腔室是由林源为设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本在间隙结构中填充介电材料的方法和反应腔室在说明书摘要公布了：本申请涉及在间隙结构中填充介电材料的方法和反应腔室。该方法包括：掺杂沉积步骤：向反应腔室中通入第一沉积气体，通过高密度等离子体化学气相沉积反应形成掺杂氧化硅疏松层，所述第一沉积气体包括硅前驱体、掺杂物前驱体和氧前驱体；未掺杂夯实沉积步骤：在所述掺杂氧化硅疏松层上形成未掺杂氧化硅致密层，其中，所述掺杂沉积步骤中设置的下电极功率小于所述未掺杂夯实沉积步骤中设置的下电极功率。根据本申请，可以使在间隙结构中填充的介电材料具有低介电常数，有利于进一步提高集成电路的集成度。
本发明授权在间隙结构中填充介电材料的方法和反应腔室在权利要求书中公布了：1.一种在间隙结构中填充介电材料的方法，其特征在于，所述方法包括：掺杂沉积步骤：向反应腔室中通入第一沉积气体，通过化学气相沉积反应形成掺杂氧化硅疏松层，所述第一沉积气体包括硅前驱体、掺杂物前驱体和氧前驱体；未掺杂夯实沉积步骤：向所述反应腔室中通入第二沉积气体，通过化学气相沉积反应在所述掺杂氧化硅疏松层上形成未掺杂氧化硅致密层，所述第二沉积气体包括硅前驱体和氧前驱体；其中，所述掺杂沉积步骤中设置的下电极功率小于所述未掺杂夯实沉积步骤中设置的下电极功率。
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