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龙图腾网恭喜中国科学院光电技术研究所申请的专利等离子体共振腔透镜光刻的成像结构保护方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115047728B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210776506.6，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权等离子体共振腔透镜光刻的成像结构保护方法及其结构是由罗先刚;罗云飞;刘凯鹏;张译尹;朱瑶瑶;赵泽宇设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子体共振腔透镜光刻的成像结构保护方法及其结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种等离子体共振腔透镜光刻的成像结构保护方法及其结构，该方法包括：S1，在基底表面沉积反射金属膜层；S2，在反射金属膜层上沉积保护膜层，保护膜层用于保护反射金属膜层；S3，在保护膜层上制备感光膜层；S4，在感光膜层上沉积透明保护膜层，透明保护膜层用于保护感光膜层；S5，在透明保护膜层上沉积透射金属膜层，得到等离子体共振腔透镜光刻的成像结构。本公开通过在反射金属膜层、透射金属膜层上分别设置保护膜层、透明保护膜层，避免了去除金属的腐蚀溶液对感光膜层、显影液对反射金属膜层造成的损伤与破坏，有利于提升等离子体共振腔成像光刻的图形质量。

本发明授权等离子体共振腔透镜光刻的成像结构保护方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种等离子体共振腔透镜光刻的成像结构保护方法，其特征在于，包括：S1，在基底1表面沉积反射金属膜层2；S2，在所述反射金属膜层2上沉积保护膜层3，所述保护膜层3用于保护所述反射金属膜层2；S3，在所述保护膜层3上制备感光膜层4；S4，在所述感光膜层4上沉积透明保护膜层5，所述透明保护膜层5用于保护所述感光膜层4；所述透明保护膜层5为透明介质材料；S5，在所述透明保护膜层5上沉积透射金属膜层6，得到等离子体共振腔透镜光刻的成像结构；其中，在湿法去除表层金属过程中，所述透明保护膜层5用于保护所述反射金属膜层2和感光膜层4以避免被腐蚀溶液损伤；在所述感光膜层4显影过程中，所述保护膜层3用于保护反射金属膜层2以避免被显影液损伤；所述透明保护膜层5和所述保护膜层3协同保护成像结构的完整性；所述保护膜层3包括SiO2、Al2O3、MgF2中的一种，所述保护膜层3的厚度为2～3nm；所述透明保护膜层5为SiO2，厚度为5nm。

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