恭喜星科金朋私人有限公司H·T·阿帕尔获国家专利权
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龙图腾网恭喜星科金朋私人有限公司申请的专利半导体器件以及在衬底上形成用于散热器/屏蔽结构的接地连接的凸块焊盘阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938951B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210782548.0，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体器件以及在衬底上形成用于散热器/屏蔽结构的接地连接的凸块焊盘阵列的方法是由H·T·阿帕尔;李揆元;M·萨克特设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件以及在衬底上形成用于散热器/屏蔽结构的接地连接的凸块焊盘阵列的方法在说明书摘要公布了：一种半导体器件具有衬底、以及以阵列形成在衬底上的多个第一凸块。在第一凸块的至少两侧上、在衬底上形成第二凸块的阵列。在第一凸块上设置电气部件。在衬底和电气部件上设置封装结构。封装结构具有水平构件以及从水平构件延伸以形成腔体的腿部。封装结构耦合到第二凸块的阵列。封装结构包括作为散热器或屏蔽层而操作的材料。屏蔽层通过第二凸块的阵列进行接地连接。第一凸块和第二凸块具有相似的高度和宽度，以在相同的制造步骤中形成。在第二凸块的阵列上设置保护层，诸如导电环氧树脂。
本发明授权半导体器件以及在衬底上形成用于散热器/屏蔽结构的接地连接的凸块焊盘阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成导电层；在所述衬底的导电层上形成多个第一凸块；在所述衬底的导电层上形成第二凸块的多个M×N阵列，其中M1并且N1，并且所述第一凸块和所述第二凸块被形成使得第二凸块的多个M×N阵列中的第一阵列与第二凸块的多个M×N阵列中的第二阵列之间的距离大于第一阵列内第二凸块中的第一个与邻近所述第二凸块中的第一个的第二凸块中的第二个之间的距离，并且可以用相同的处理设备通过相同的步骤来同时形成；以及在所述衬底上设置封装结构，其中所述封装结构耦合到第二凸块的M×N阵列。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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