恭喜华东师范大学彭晖获国家专利权
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龙图腾网恭喜华东师范大学申请的专利受湿度调节的两端无铅钙钛矿人工光突触器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411190B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211076962.6，技术领域涉及：H10K30/10；该发明授权受湿度调节的两端无铅钙钛矿人工光突触器件及制备方法是由彭晖;劳婕;蒋纯莉;罗春花设计研发完成，并于2022-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本受湿度调节的两端无铅钙钛矿人工光突触器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种受湿度调节的两端无铅钙钛矿人工光突触器件及制备方法，其特点下电极上依次旋涂无铅钙钛矿薄膜、有机铁电聚合物薄膜和沉积有机半导体薄膜为活性功能层，然后在功能层上热蒸镀上电极，构成垂直层状结构自供电湿度调控的两端人工突触器件，其制备具体包括：旋涂液的制备、无铅钙钛矿薄膜和有机铁电聚合物薄膜的旋涂和有机半导体薄膜的蒸镀及上电极的蒸镀。本发明与现有技术相比具有自供电、全光调控以及湿度调控在同一器件内同时实现兴奋性和抑制性突触行为等优点，能够在特定波长的光刺激作用下模拟典型的生物突触功能，可应用于构建人工神经网络系统，制备方法简单易行、成本低，且安全、环保。
本发明授权受湿度调节的两端无铅钙钛矿人工光突触器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种受湿度调节的两端无铅钙钛矿人工光突触器件，其特征在于，下电极上依次旋涂无铅钙钛矿薄膜和有机铁电聚合物薄膜为半导体活性功能层，然后在功能层上热蒸镀一层导体作为上电极，形成垂直层状结构的所述受湿度调节的两端无铅钙钛矿人工突触器件，能够应用于构建人工神经网络系统；其中，所述下电极为氧化铟锡导电玻璃；所述导体为金、铝或铂；所述无铅钙钛矿为铯银铋溴或铯银铋氯；所述有机铁电聚合物为聚偏二氟乙烯或聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物；所述有机半导体为并五苯。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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