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龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利基于压电势增强摩擦电效应的无源压力传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115560886B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211138227.3，技术领域涉及：G01L1/16；该发明授权基于压电势增强摩擦电效应的无源压力传感器及制备方法是由刘金妹;顾陇;杨茂森;崔暖洋;王雨昕;李晨;李子昕;徐炅尧设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于压电势增强摩擦电效应的无源压力传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于压电势增强摩擦电效应的无源压力传感器，包括：电极层、柔性高分子材料层、ZnO褶皱层、ZnO纳米线层以及负极性摩擦层；其中，制成所述ZnO褶皱层时所沉积的ZnO厚度为10nm～1μm，制成所述柔性高分子材料层的柔性高分子材料和ZnO的热膨胀系数不匹配，所述ZnO纳米线层中的ZnO顶部晶面为0001晶面。本发明提供的压力传感器具有更高的灵敏度。

本发明授权基于压电势增强摩擦电效应的无源压力传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于压电势增强摩擦电效应的无源压力传感器，其特征在于，包括：电极层；柔性高分子材料层；所述柔性高分子材料层位于所述电极层之上；ZnO褶皱层；所述ZnO褶皱层位于所述柔性高分子材料层之上；ZnO纳米线层；所述ZnO纳米线层位于所述ZnO褶皱层之上；负极性摩擦层；所述负极性摩擦层位于所述ZnO纳米线层之上；其中，制成所述ZnO褶皱层时所沉积的ZnO厚度为10nm～1μm，制成所述柔性高分子材料层的柔性高分子材料和ZnO的热膨胀系数不匹配，所述ZnO纳米线层中的ZnO的顶部晶面为0001晶面；所述ZnO褶皱层和所述ZnO纳米线层形成分层褶皱结构；所述分层褶皱结构通过下述方式制备得到：在所述柔性高分子材料层上沉积一层厚度为10nm～1μm的ZnO，然后进行冷却，冷却时间根据沉积的ZnO厚度计算，使得柔性高分子材料层和ZnO形成的杂化结构的顶面趋于局部收缩，自发地在所述柔性高分子材料层上形成所述ZnO褶皱层；以所述ZnO褶皱层为种子层，在所述ZnO褶皱层上生长ZnO纳米线，形成位于不同高低起伏褶皱上的ZnO纳米线层；其中，所述ZnO褶皱层通过模仿人类手指的皱纹对外部机械刺激进行感知，进一步以所述ZnO褶皱层作为种子层生长ZnO纳米线层后形成的ZnO分层褶皱结构，能够对外部机械刺激有更高的感知灵敏度。

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