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龙图腾网恭喜上海普利特化工新材料有限公司;上海普利特复合材料股份有限公司;浙江普利特新材料有限公司;重庆普利特新材料有限公司申请的专利一种低介电微孔薄膜及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116215038B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211725214.6，技术领域涉及：B32B27/36；该发明授权一种低介电微孔薄膜及其制造方法是由许斌;魏伟;周臻纶;李宏;周文设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低介电微孔薄膜及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低介电微孔薄膜及其制造方法，其包括以下步骤：1、将热塑性液晶聚合物通过挤出机熔融塑化，挤出成膜；2、将前一步得到的液晶聚合物薄膜与支撑体压合得到复合体；3、将前一步复合得到的液晶聚合物薄膜复合体加热到一定温度范围内，并保持一定时间；4、将经过热处理的液晶聚合物薄膜复合体中的支撑体分离，得到处理完成的液晶聚合物低介电微孔薄膜成品。使用本发明制备工艺得到的低介电微孔薄膜具有均匀分布的微孔，高频下介电损耗因子小。

本发明授权一种低介电微孔薄膜及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种低介电微孔薄膜的制造方法，其特征在于，其制备步骤如下：1成膜步骤：将热塑性液晶聚合物通过挤出机熔融塑化，挤出成膜；成膜的方式是挤出流延成膜、挤出吹塑成膜或者挤出拉伸成膜；2复合步骤：将前一步得到的液晶聚合物薄膜与支撑体压合得到复合体，该复合体分为三层，中间层为液晶聚合物膜层，上层与下层为支撑体层，上支撑体层与下支撑体层为同一种材料或不同种的材料；支撑体与液晶聚合物薄膜通过物理作用粘接在一起；所述的支撑体在后续的热处理过程中不会软化变形；3热处理步骤：将前一步复合得到的液晶聚合物薄膜复合体加热到液晶聚合物起始反应温度至比熔融温度高20℃的温度范围内，并保持一定时间；热处理时间为10分钟～60分钟；4分离步骤：将经过热处理的液晶聚合物薄膜复合体中的支撑体分离，得到处理完成的液晶聚合物低介电微孔薄膜成品；所使用的液晶聚合物为全芳香族液晶聚酯或全芳香族液晶聚酯酰胺，其熔融温度在260℃-360℃之间，使用内径为0.5mm口模，在熔融温度之上10℃、1000sec-1的剪切速率下由毛细管流变仪所测定的其熔体粘度ηLCP在30-100Pa·s之间；将液晶聚合物粒子100克加热到一定温度，保持1小时；收集并冷凝加热粒子后粒子释放的气体；收集到的挥发物质冷凝量达到0.2克时所加热到的温度定义为该液晶聚合物的起始反应温度。

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