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龙图腾网恭喜福州大学申请的专利一种圆偏振光电流区分二维Bi2O2Se表面极性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116223927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211735781.X，技术领域涉及：G01R29/24；该发明授权一种圆偏振光电流区分二维Bi2O2Se表面极性的方法是由俞金玲;武文逸;程树英设计研发完成，并于2022-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种圆偏振光电流区分二维Bi2O2Se表面极性的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种圆偏振光电流区分二维Bi2O2Se表面极性的方法，该方法通过测试Bi2O2Se纳米片的圆偏振光电流随离子液体栅压的变化趋势，可简单区分二维Bi2O2Se表面极性；若圆偏振光电流随栅压增大而线性增大，说明Bi2O2Se的初始表面极性为Bi原子截止，其初始表面带正电；若圆偏振光电流幅值随栅压先减小至0，反号后继续反向增大，则说明Bi2O2Se的初始表面极性为Se原子截止，其初始表面带负电。该方法测量准确，简单易行，对样品表面没有破坏，广泛适用于表面具有极性且存在自旋轨道耦合的材料。

本发明授权一种圆偏振光电流区分二维Bi2O2Se表面极性的方法在权利要求书中公布了：1.一种圆偏振光电流区分二维Bi2O2Se表面极性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：通过化学气相沉积法在管式炉中的衬底上生长Bi2O2Se纳米片；步骤S2：通过紫外光刻和热蒸发技术在纳米片上制作接触电极，并在距离纳米片设定距离的位置制作栅电极；步骤S3：在衬底上设置环形支架，从而在纳米片表面形成凹槽，凹槽覆盖整个纳米片和部分栅电极，在凹槽中加入离子液体并盖上盖玻片进行封装，形成测试结构；离子液体同时覆盖整个纳米片表面并与栅电极接触，栅电极通过离子液体对纳米片表面施加栅压；步骤S4：搭建实验光路：激光光源发出激光，依次通过斩波器、光学衰减片、起偏器和四分之一波片；偏振光经过透镜聚焦，照射在测试结构的纳米片上，形成光斑；通过微距摄像头对准光斑位置，使其完全覆盖纳米片；步骤S5：将接触电极收集的光电流输入前置放大器，再由前置放大器输入锁相放大器，锁相放大器信号进入数据采集卡并由计算机采集；通过静电计施加栅极电压，静电计与前置放大器共地；步骤S6：在室温下测试Bi2O2Se纳米片中光电流随四分之一波片转角的变化曲线，并提取圆偏振光电流C值；步骤S7：施加0～-2V的栅极电压，栅压每增加设定值重复一次步骤S6，并记录所提取的C值，观察C的大小随栅压的变化趋势；若C值随栅压增大而线性增大，说明Bi2O2Se的初始表面极性为Bi原子截止，其初始表面带正电；若C值随栅压先减小至0，反号后继续反向增大，则说明Bi2O2Se的初始表面极性为Se原子截止，其初始表面带负电。

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