恭喜通威太阳能(眉山)有限公司蒋杨旭获国家专利权
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龙图腾网恭喜通威太阳能(眉山)有限公司申请的专利一种选择性发射极的制备方法和太阳电池片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314457B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310260490.8，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种选择性发射极的制备方法和太阳电池片的制备方法是由蒋杨旭;王秀鹏;邢国强;王永洁设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种选择性发射极的制备方法和太阳电池片的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种选择性发射极的制备方法和太阳电池片的制备方法，属于太阳电池技术领域，方法包括：对制绒后的硅片进行轻掺杂，以形成轻掺杂p‑n结；在轻掺杂完成后的硅片表面涂布硼浆料；对硅片表面的硼浆料进行氧化，以去除硼浆料中有机物的C和H元素，氧化的方式为链式氧化，氧化的温度＞600℃；对氧化完成的硅片进行重掺杂，形成选择性发射极；通过在重掺杂之前对硼浆料进行氧化反应，使硼浆料中的C元素和H元素被反应生成CO2和H2O后去除，从而避免了后续重掺杂将C元素推进到硅片中，造成污染漏电的问题。
本发明授权一种选择性发射极的制备方法和太阳电池片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述方法包括：对制绒后的硅片进行轻掺杂，以形成轻掺杂p-n结；在轻掺杂完成后的所述硅片表面涂布硼浆料；对所述硅片表面的硼浆料进行氧化，以去除硼浆料中有机物的C和H元素，所述氧化的方式为链式氧化，所述氧化的温度为700-900℃，所述氧化的时间为15-30min，所述氧化的气氛为饱和的纯氧；对氧化完成的所述硅片进行重掺杂，形成选择性发射极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人通威太阳能(眉山)有限公司，其通讯地址为：620000 四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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