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龙图腾网恭喜北京科技大学申请的专利一种带氧化锆ZrO₂插层的铈铪氧Hf_1-xCe_xO₂薄膜、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116514157B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310305928.X，技术领域涉及：C01F17/32；该发明授权一种带氧化锆ZrO₂插层的铈铪氧Hf_1-xCe_xO₂薄膜、制备方法及应用是由詹倩;卞振旭;陈鹏;尔晓阔设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带氧化锆ZrO₂插层的铈铪氧Hf_1-xCe_xO₂薄膜、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种带氧化锆ZrO2插层的铈铪氧Hf1‑xCexO2薄膜、制备方法及应用，方法包括：制备Hf1‑xCexO2HCO溶胶和ZrO2溶胶；将所述HCO溶胶和ZrO2溶胶按照不同次序旋涂于基板上，得到湿膜；对湿膜进行热解以及最后的退火结晶处理，得到带氧化锆插层的铈铪氧Hf1‑xCexO2薄膜。本发明通过在HCO薄膜中引入高介电ZrO2插层，并调整插层位置得到不同ZrO2‑HCO叠层的高性能的薄膜。本发明相较于现有技术，在重掺Si基板上所制得的薄膜的铁电性能和或漏电性能有了显著的提高；在柔性云母基板上，ZrO2插层的加入同样能够显著改善薄膜的铁电性能；且本发明的制备方法简单，加入的元素含量灵活可控，薄膜制备的成功率高，可重复性好，适合批量化生产。

本发明授权一种带氧化锆ZrO₂插层的铈铪氧Hf_1-xCe_xO₂薄膜、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种带氧化锆ZrO2插层的铈铪氧Hf1-xCexO2薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括步骤：S1.将乙酰丙酮铪、乙酸、六水合硝酸铈及螯合剂进行混合得到铈铪氧Hf1-xCexO2溶胶，其中，0x1；S2.将乙酰丙酮锆、乙酸及螯合剂进行混合得到ZrO2溶胶；所述S2具体包括：S21.以乙酰丙酮锆做溶质，溶于乙酸溶液中，在40-60℃搅拌10-30min，将溶质全部溶解至澄清；S22.在S21得到的溶液中加入适量螯合剂，水浴加热20-40min后，室温再搅拌4-8h，经陈化得到ZrO2溶胶；S3.将所述Hf1-xCexO2溶胶和ZrO2溶胶涂在基板上，得到湿膜，所述基板为重掺Si基板或柔性云母基板，所述Hf1-xCexO2溶胶浓度为0.1-0.3molL，ZrO2溶胶浓度为0.1-0.3molL；S4.对湿膜进行热解处理；S5.在步骤S4的基础上，重复步骤S3和S4，得到预设厚度的带氧化锆ZrO2插层的铈铪氧Hf1-xCexO2薄膜。

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