恭喜中国科学院上海硅酸盐研究所王新刚获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种(Ti,Zr,Hf)B2中熵陶瓷基复相材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116354730B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310337520.0，技术领域涉及：C04B35/58；该发明授权一种(Ti,Zr,Hf)B2中熵陶瓷基复相材料及其制备方法是由王新刚;王小飞;高巍;王铭;蒋丹宇设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种(Ti,Zr,Hf)B2中熵陶瓷基复相材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种Ti,Zr,HfB2中熵陶瓷基复相材料及其制备方法，包括Ti,Zr,HfB2、BN和B4C，采用氧化物原料、B4C粉体利用氮化硅球磨介质球磨混合加压烧结而成。本发明的技术方案工艺简单，合成复相粉体和制备的陶瓷氧含量低，且晶粒小、粒径分布均匀，所制备的中熵陶瓷基复相材料在高温具有优良的强度和韧性等力学性能。
本发明授权一种(Ti,Zr,Hf)B2中熵陶瓷基复相材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Ti,Zr,HfB2中熵陶瓷基复相材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1.1，将氧化物原料TiO2粉、ZrO2粉、HfO2粉和B4C粉，按照原料摩尔比为TiO2:ZrO2:HfO2:B4C＝x:y:z:u进行配料；其中0.2≤x≤0.40，0.2≤y≤0.40，x+y+z＝1.0，0.89≤u≤0.96；步骤1.2，将配料后的粉体利用乙醇或丙酮为分散剂，氮化硅陶瓷球为球磨介质进行混合、干燥和过筛；步骤1.3，将混合后粉体在真空条件下加热至1200～1400℃，保温0.5～4h，然后加热至1500～1650℃保温0.5～4h，制得陶瓷复相粉体。
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