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龙图腾网恭喜福建康博电子技术股份有限公司申请的专利一种带有屏蔽栅结构的沟槽MOSFET器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116666453B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310357719.X，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种带有屏蔽栅结构的沟槽MOSFET器件及制造方法是由涂长招;王力;涂金福;李敏;赖保良设计研发完成，并于2023-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带有屏蔽栅结构的沟槽MOSFET器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带有屏蔽栅结构的沟槽MOSFET器件及制造方法，属于半导体器件设计及制造领域，包括：半导体衬底；外延层设置于半导体衬底上，外延层在朝向半导体衬底的方向上依次设置有漂移区；金属层设置于外延层上；沟槽结构，沟槽结构设置于外延层中，沟槽包括第一沟槽和至少两个第二沟槽，第一沟槽内壁覆盖有源极介质层，且内部填充有源极多晶硅；至少两个第二沟槽中的任一沟槽设置有多晶硅屏蔽场板，和多晶硅栅，且填充有氧化层，至少两个第二沟槽中的任一沟槽的多晶硅栅通过第二接触孔连接到金属层形成栅极；半导体衬底背离金属层的一侧与金属层形成漏极。本方案可以解决在保证低导通损耗的前提下，进一步显著地降低栅极寄生电容的技术问题。

本发明授权一种带有屏蔽栅结构的沟槽MOSFET器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种带有屏蔽栅结构的沟槽MOSFET器件，其特征在于，包括：半导体衬底；外延层，所述外延层设置于所述半导体衬底上，所述外延层在朝向所述半导体衬底的方向上依次设置有源区、沟道区和漂移区，在所述漂移区中还设置有离子注入区；金属层，所述金属层设置于所述外延层上；沟槽结构，所述沟槽结构设置于所述外延层中，所述沟槽包括第一沟槽和至少两个第二沟槽，所述至少两个第二沟槽分别设置于所述第一沟槽的两侧，且所述第一沟槽的深度比所述至少两个第二沟槽的深度深；且至少两个第二沟槽的槽壁为从槽口到槽底的弧形，所述弧形为半径为r的圆弧形，所述第一沟槽内壁覆盖有源极介质层，且内部填充有源极多晶硅；所述至少两个第二沟槽中的任一沟槽靠近槽底的一侧设置有多晶硅屏蔽场板，靠近槽口的一侧设置有多晶硅栅，且填充有氧化层，且所述氧化层包裹所述多晶硅屏蔽场板和所述多晶硅栅，所述至少两个第二沟槽中的其他沟槽内壁覆盖有介质层，且内部填充有多晶硅；所述至少两个第二沟槽中的其他沟槽的多晶硅和所述源区一起通过第一接触孔连接到所述金属层形成源极，所述至少两个第二沟槽中的任一沟槽的多晶硅栅通过第二接触孔连接到所述金属层形成栅极；所述半导体衬底背离所述金属层的一侧形成漏极。

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