买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜深圳市驭能科技有限公司申请的专利一种非晶纳米晶带材磁芯及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117095933B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311000943.X，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权一种非晶纳米晶带材磁芯及其制备方法和应用是由李准;王湘粤;李豪滨;庄嘉健;曾志超设计研发完成，并于2023-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非晶纳米晶带材磁芯及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于软磁材料及电感元器件技术领域，公开了一种非晶纳米晶带材磁芯及其制备方法和应用。所述制备方法为：将非晶纳米晶带材进行卷对卷退火处理，退火处理过程中施加沿带材长度方向的张应力，然后卷绕或冲切成闭合磁路，或叠层加工成块状，得到所述非晶纳米晶带材磁芯。本发明的制备方法通过非晶纳米晶带材卷对卷退火一步制成，无需进行进一步的热处理及磁场处理，非晶纳米晶成分体系适应面广，制备方法简单易控制，制备成本低。所得产品磁导率可以覆盖50～30000的区间范围，且连续可调，性能优良。

本发明授权一种非晶纳米晶带材磁芯及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种非晶纳米晶带材磁芯的制备方法，其特征在于，具体制备步骤如下：将非晶纳米晶带材进行卷对卷退火处理，退火处理过程中施加沿带材长度方向的张应力，然后卷绕或冲切成闭合磁路，或叠层加工成块状，得到非晶纳米晶带材磁芯；所述非晶纳米晶带材为成分体系为FeSiB、FeSiBC、FeNiSiB的非晶带材，所述卷对卷退火处理的退火温度为350~500℃，退火时间为1~720s；或所述非晶纳米晶带材为成分体系为MCuNbSiB、MCuMoSiB、MCuPCSiB的纳米晶带材，其中M代表Fe、Ni和或Co；所述卷对卷退火处理的退火温度为500~650℃，退火时间为1~720s；所得到的非晶纳米晶带材磁芯的初始磁导率为50~30000，磁感应强度为200mT、频率为100kHz时的交流损耗为100~800mWcm3。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市驭能科技有限公司，其通讯地址为：518122 广东省深圳市坪山区龙田街道办事处竹坑社区兰竹东路同力兴工业园办公楼(多彩科技)六层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。