恭喜中国科学院上海硅酸盐研究所刘桂玲获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117776728B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311805339.4，技术领域涉及：C04B35/565；该发明授权一种电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷及其制备方法是由刘桂玲;万鑫;刘学建;杨金晶;陈忠明;黄政仁;姚秀敏;刘岩设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。所述电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷包括：碳化硅主相、烧结助剂相和连通气孔相；优选地，所述烧结助剂相为碳化硼相。
本发明授权一种电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷的制备方法，其特征在于，所述电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷包括：碳化硅主相、烧结助剂相和连通气孔相；所述制备方法包括：（1）将碳化硅粉体、造孔剂、SiO2粉体、烧结助剂、粘接剂、分散剂和溶剂进行混合，得到混合浆料；以碳化硅粉体、造孔剂、SiO2粉体和烧结助剂作为复合粉体，所述复合粉体的总质量计为100%，所述碳化硅粉体的含量为44～88.9wt%、造孔剂含量为10～40wt%、SiO2粉体含量为0～10wt%、烧结助剂的含量为0.1～6wt%；（2）将所得混合浆料通过喷雾造粒和过筛，得到球形复合粉体；（3）将所得球形复合粉体转移至模具中压制成型，得到陶瓷素坯；（4）将陶瓷素坯经过裂解、碳热还原反应和烧结，得到所述电阻可调的碳化硅多孔陶瓷。
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