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龙图腾网恭喜湖北九峰山实验室申请的专利硅控制单元和宽禁带半导体耐压单元复合器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118039634B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410110311.7，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权硅控制单元和宽禁带半导体耐压单元复合器件结构及其制作方法是由袁俊;陈伟;郭飞;成志杰;王宽;吴阳阳;徐少东;朱厉阳;彭若诗;李明哲设计研发完成，并于2024-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅控制单元和宽禁带半导体耐压单元复合器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明具体涉及一种硅控制单元和宽禁带半导体单元复合器件结构及其制作方法。该器件结构包括衬底；外延层，外延层制作在衬底上且所述外延层为宽禁带半导体材料，所述外延层的上表面制作有电子隧穿层，所述外延层划分为耐压层构造区域和电场屏蔽构造区域；硅材料层，所述硅材料层制作在电子隧穿层上；开关控制单元，所述开关控制单元制作在硅材料层中；屏蔽区，所述屏蔽区制作在电子隧穿层和或外延层的电场屏蔽构造区域中；漏电极，所述漏电极制作在衬底的第二表面上。本发明提供了硅控制单元和宽禁带半导体耐压单元复合器件结构，解决了宽禁带半导体器件设计、工艺制作和特殊设备需求上的困难且得到的器件性能更加优异。

本发明授权硅控制单元和宽禁带半导体耐压单元复合器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.硅控制单元和宽禁带半导体耐压单元复合器件结构，其特征在于，所述器件结构包括衬底（1），所述衬底（1）包括相对的第一表面和第二表面，所述第二表面指向第一表面的方向为第一方向；外延层（2），所述外延层（2）制作在衬底（1）的第一表面上且所述外延层（2）为宽禁带半导体材料，所述外延层（2）的上表面制作有电子隧穿层（3），所述外延层（2）沿第一方向划分为耐压层构造区域和电场屏蔽构造区域；硅材料层（4），所述硅材料层（4）制作在电子隧穿层（3）上；开关控制单元（5），所述开关控制单元（5）制作在硅材料层（4）中；屏蔽区（6），所述屏蔽区（6）制作在电子隧穿层和或外延层（2）的电场屏蔽构造区域中且其掺杂类型与外延层（2）相反；所述屏蔽区（6）沿第一方向上制作有多层，且每层布设有多个；所述屏蔽区（6）与开关控制单元（5）中的源极连接实现接地；漏电极（7），所述漏电极（7）制作在衬底（1）的第二表面上。

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