恭喜三星电子株式会社V.特里帕西获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利具有高线性度的单刀双掷（SPDT）开关和发送-接收电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110572143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910149311.7，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权具有高线性度的单刀双掷（SPDT）开关和发送-接收电路是由V.特里帕西设计研发完成，并于2019-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有高线性度的单刀双掷（SPDT）开关和发送-接收电路在说明书摘要公布了：一种单刀双掷开关。在一些实施例中，开关包括连接在单刀双掷开关的公共端子和单刀双掷开关的第一开关接线端子之间的第一开关晶体管、连接在单刀双掷开关的公共端子和单刀双掷开关的第二开关接线端子之间的第二开关晶体管、连接在单刀双掷开关的公共端子和第一开关晶体管的栅极之间的第一辅助晶体管、以及连接在单刀双掷开关的公共端子和第二开关晶体管的栅极之间的第二辅助晶体管。
本发明授权具有高线性度的单刀双掷（SPDT）开关和发送-接收电路在权利要求书中公布了：1.一种单刀双掷开关，包括：第一开关晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和单刀双掷开关的第一开关接线端子之间，第二开关晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和单刀双掷开关的第二开关接线端子之间，第一辅助晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和第一开关晶体管的栅极之间，以及第二辅助晶体管，其连接在单刀双掷开关的公共端子和第二开关晶体管的栅极之间，其中第一辅助晶体管的栅极被连接到第二开关晶体管的栅极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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