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龙图腾网恭喜弗萨姆材料美国有限责任公司申请的专利用于沉积含硅膜的有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114318299B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111618166.6，技术领域涉及：C07F7/21；该发明授权用于沉积含硅膜的有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷是由萧满超;M·R·麦克唐纳;雷新建;王美良设计研发完成，并于2018-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于沉积含硅膜的有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷在说明书摘要公布了：本文公开了具有至少两个硅原子和两个氧原子以及有机氨基基团的氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷以及用于制备所述低聚硅氧烷的方法。本文还公开了使用所述有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷沉积含硅和氧的膜的方法。

本发明授权用于沉积含硅膜的有机氨基官能化线性和环状低聚硅氧烷在权利要求书中公布了：1.一种用于通过可流动化学气相沉积FCVD沉积含硅和氧的膜的方法，所述方法包括：将包含表面特征的衬底置于反应器中，其中将所述衬底保持在-20℃至400℃范围内的一个或多个温度下，并将所述反应器的压力保持在100托或更低；向所述反应器中引入选自式A至E的至少一种化合物： 其中，R1选自C1至C10直链烷基、C3至C10支链烷基、C3至C10环状烷基、C3至C10杂环基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳基；R2选自氢、C1至C10直链烷基、C3至C10支链烷基、C3至C10环状烷基、C3至C10杂环基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳基，其中R1和R2连接形成环状环结构或不连接形成环状环结构；R3-10各自独立地选自氢、C1至C10直链烷基、C3至C10支链烷基、C3至C10环状烷基、C3至C10烯基、C3至C10炔基和C4至C10芳基；X选自C1至C10直链烷基、C3至C10支链烷基、C3至C10环状烷基、C2至C10烯基、C2至C10炔基、C4至C10芳基、C1至C10酰基、-NR1R2、H、Cl、Br、I、F、C2至C12羧酸酯基、C1至C10直链或支链烷氧基、三甲基甲硅烷氧基、二甲基甲硅烷氧基、甲基甲硅烷氧基或甲硅烷氧基，其中R1和X连接形成环状环或不连接形成环状环；向所述反应器中提供氧源、氮源或者氧源和氮源以与所述至少一种化合物反应而形成膜并覆盖所述表面特征的至少一部分；在100℃至1000℃的一个或多个温度下使所述膜退火以包覆所述表面特征的至少一部分；和在20℃至1000℃范围内的一个或多个温度下用氧源处理所述衬底以在所述表面特征的至少一部分上形成含硅和氧的膜。

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