恭喜台湾积体电路制造股份有限公司杨政龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及形成其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110299343B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810488311.5，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体装置及形成其的方法是由杨政龙;苏智宏;陈承先;黄宏麟;蔡昆铭;林玮哲设计研发完成，并于2018-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及形成其的方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开半导体装置及其形成方法。所述半导体装置中的一种包括第一导电层、有机层、硅层、磁性层、及第二导电层。所述有机层设置在所述第一导电层之上并暴露出所述第一导电层的一部分。所述硅层设置在所述有机层上并接触所述有机层。所述磁性层设置在所述第一导电层之上。所述第二导电层设置在所述有机层及所述磁性层之上以电连接所述第一导电层。
本发明授权半导体装置及形成其的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电层，包括第一表面；有机层，设置在所述第一导电层的所述第一表面之上；硅层，设置在所述有机层上并接触所述有机层，且延伸到所述第一导电层的所述第一表面上并接触所述第一导电层的所述第一表面；磁性层，设置在所述第一导电层之上；以及第二导电层，设置在所述有机层及所述磁性层之上以电连接所述第一导电层,其中所述磁性层位于所述第一导电层及所述第二导电层之间。
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