恭喜日产化学株式会社德永光获国家专利权
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龙图腾网恭喜日产化学株式会社申请的专利使用了环式羰基化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112166379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980035022.2，技术领域涉及：G03F7/11；该发明授权使用了环式羰基化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物是由德永光;绪方裕斗;桥本圭祐;中岛诚设计研发完成，并于2019-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用了环式羰基化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物在说明书摘要公布了：提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：碳原子数6～60的芳香族化合物A、与碳原子数3～60的环式羰基化合物B所具有的羰基的反应生成物；以及溶剂，上述反应生成物中，上述环式羰基化合物B的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物A。
本发明授权使用了环式羰基化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物在权利要求书中公布了：1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：碳原子数6～60的芳香族化合物A、与碳原子数3～60的环式羰基化合物B所具有的羰基的反应生成物；以及溶剂，所述环式羰基化合物B包含5质量％以上的杂原子，且由下述式1表示， 式中，X为O、NH或CH2，环Y为可以具有下述基团作为取代基、且可以被杂原子中断的三～八元环、或它们的连接环或稠环，所述基团为：可以经羟基、羰基取代并且可以被氧原子或硫原子中断的碳原子数1～20的烷基、羟基、氧代基、羧基、氰基、硝基、磺基、碳原子数1～6的酰基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～6的烷氧基羰基、氨基、缩水甘油基、碳原子数2～10的烯基、或碳原子数2～10的炔基，并且所述环式羰基化合物B不包含苯环，所述反应生成物中，所述环式羰基化合物B的1个碳原子连接2个所述芳香族化合物A。
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