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龙图腾网恭喜南京云极芯半导体科技有限公司申请的专利一种新型半导体测试探针封装工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119240602B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411426457.9，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种新型半导体测试探针封装工艺是由陈刚;孙杨设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型半导体测试探针封装工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种新型半导体测试探针封装工艺，包括：清洗第一中间产品；在第一中间产品的顶面填充胶水层；在胶水层的顶面键合玻璃板，得到第二中间产品；将第二中间产品翻转；在硅基板的顶面涂敷光阻层，对光阻层的预设位置进行光刻并显影，形成金属柱蚀刻位；对金属柱蚀刻位正下方的硅基板和金属层进行蚀刻，形成金属柱生长位；利用电镀方法在金属柱生长位生长出金属柱；去除光阻层后清洗，得到第三中间产品；将第三中间产品翻转；去除玻璃板和胶水层；将金属柱与陶瓷基板键合；对金属层进行蚀刻。本发明提供的一种新型半导体测试探针封装工艺，简化工艺流程，提高产能。

本发明授权一种新型半导体测试探针封装工艺在权利要求书中公布了：1.一种新型半导体测试探针封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，清洗第一中间产品；所述第一中间产品包括硅基板（1）、覆盖在硅基板（1）顶面的金属层（2）和金属层（2）顶面制作形成的探针（3）；步骤2，在第一中间产品的顶面填充胶水层（4）；步骤3，在胶水层（4）的顶面键合玻璃板（5），得到第二中间产品；步骤4，将第二中间产品翻转，使得硅基板（1）位于第二中间产品的最上方；步骤5，在硅基板（1）的顶面涂敷光阻层（6），对光阻层（6）的预设位置进行光刻并显影，形成金属柱蚀刻位（61）；步骤6，对金属柱蚀刻位（61）正下方的硅基板（1）进行蚀刻；步骤7，对金属柱蚀刻位（61）正下方的金属层（2）进行蚀刻，形成金属柱生长位（23）；步骤8，利用电镀方法在金属柱生长位（23）生长出金属柱（7）；步骤9，去除光阻层（6）后清洗，得到第三中间产品；步骤10，将第三中间产品翻转，使得玻璃板（5）位于第三中间产品的最上方；步骤11，去除玻璃板（5）；步骤12，去除胶水层（4）；步骤13，将金属柱（7）与陶瓷基板（8）键合；步骤14，对金属层（2）进行蚀刻。

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