恭喜中南大学潘军获国家专利权
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龙图腾网恭喜中南大学申请的专利Pt单原子/氰基修饰g-C3N4材料及其制备和在光催化产H2O2中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119318984B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411879904.6，技术领域涉及：B01J27/26；该发明授权Pt单原子/氰基修饰g-C3N4材料及其制备和在光催化产H2O2中的应用是由潘军;翟欢欢;刘锋;谭鹏飞设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本Pt单原子/氰基修饰g-C3N4材料及其制备和在光催化产H2O2中的应用在说明书摘要公布了：本发明属于光催化产H2O2领域，具体涉及一种Pt单原子氰基修饰g‑C3N4材料及其制备和在光催化产H2O2中的应用，该材料制备步骤为：将包含原料A、原料B的溶液进行溶剂热处理，随后进行焙烧处理，得到氰基修饰g‑C3N4材料；再将氰基修饰g‑C3N4材料和Pt源液相陈化、冷冻后在100‑500mW的光照强度下进行光还原，制得所述的Pt单原子氰基修饰g‑C3N4材料；所述的原料A包含式1（）、式2（）中的至少一种；所述的原料B的化学式为MCl，其中，M为Na、K中的至少一种。本发明制得的材料能够意外地显著强化Pt、g‑C3N4复合效果，优化其光催化产H2O2的效果。
本发明授权Pt单原子/氰基修饰g-C3N4材料及其制备和在光催化产H2O2中的应用在权利要求书中公布了：1.一种Pt单原子氰基修饰g-C3N4材料的制备方法，其特征在于，将包含原料A、原料B的溶液进行溶剂热处理，随后进行焙烧处理，得到氰基修饰g-C3N4材料；再将氰基修饰g-C3N4材料和Pt源液相陈化、冷冻后在100~500mW的光照强度下进行光还原，制得所述的Pt单原子氰基修饰g-C3N4材料；所述的原料A包含式1、式2中的至少一种； 式1； 式2；所述的原料B的化学式为MCl，其中，M为Na、K中的至少一种。
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