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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114326211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210029583.5，技术领域涉及：G02F1/13357；该发明授权显示装置是由三宅博之;兼安诚设计研发完成，并于2016-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示装置在说明书摘要公布了：本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线；扫描线；第一电极；第二电极；第三电极；第一像素电极；第二像素电极；以及半导体膜，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。

本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：像素，所述像素包括：第一晶体管；第二晶体管；与所述第一晶体管电连接的第一像素电极；以及与所述第二晶体管电连接的第二像素电极，其中，第一导电层与衬底接触，并且具有用作所述第一晶体管的栅电极的第一区域和用作所述第二晶体管的栅电极的第二区域，其中，第二导电层与所述衬底接触，并且包括与所述第一导电层相同的材料，其中，栅极绝缘层设置在所述第一导电层和所述第二导电层上，其中，半导体层设置在所述栅极绝缘层上，并且包括所述第一晶体管的沟道形成区域和所述第二晶体管的沟道形成区域，其中，第三导电层设置在所述半导体层上，并且包括用作所述第一晶体管的源电极和漏电极中的一个的第一区域和用作所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个的第二区域，其中，第四导电层设置在所述半导体层上，并且包括用作所述第一晶体管的所述源电极和所述漏电极中的另一个的区域，其中，第一绝缘层设置在所述第三导电层和所述第四导电层上，其中，所述第二导电层包括第一区域、第二区域和所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域，其中，在所述像素的俯视方向上，所述第二导电层的所述第一区域包括与设置在所述第一绝缘层中的第一接触孔重叠的区域，其中，所述第二导电层的所述第一区域包括第一宽度，其中，在所述像素的所述俯视方向上，所述第二导电层的所述第二区域包括与设置在所述栅极绝缘层中的第二接触孔重叠的区域，其中，所述第二导电层的所述第二区域包括第二宽度，其中，在所述像素的所述俯视方向上，所述第二导电层的所述第三区域包括第三宽度，其中，所述第一宽度大于所述第二宽度，其中，所述第二宽度大于所述第三宽度，其中，所述第四导电层包括与所述第一接触孔重叠并且不与所述第二接触孔重叠的区域，并且其中，所述第一像素电极包括与所述第二接触孔重叠的区域。

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