恭喜苏州立琻半导体有限公司崔洛俊获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州立琻半导体有限公司申请的专利半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101641B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210649550.0，技术领域涉及：H10H20/818；该发明授权半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装是由崔洛俊;金炳祚;吴炫智;洪埩熀设计研发完成，并于2017-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装在说明书摘要公布了：实施例涉及半导体器件、半导体器件封装和制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，所述有源层被布置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间；所述方法包括：在衬底上顺序形成光吸收层和所述发光结构；以及通过用激光照射所述衬底将所述光吸收层至少部分地与所述第一导电半导体层分离。本申请通过设置光吸收层能够改进发光结构的结晶度，减轻衬底和发光结构之间的晶格失配。
本发明授权半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，所述半导体器件包括：发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，所述有源层被布置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间，其中，所述方法包括：在衬底上顺序形成光吸收层和所述发光结构，所述光吸收层包括多个第一光吸收层和多个第二光吸收层，多个所述第一光吸收层和多个所述第二光吸收层被交替地堆叠；以及通过用激光照射所述衬底将所述光吸收层至少部分地与所述第一导电半导体层分离，其中，所述第一光吸收层的铝组分设置成吸收所述激光，所述第二光吸收层的铝组分设置成不吸收所述激光，以及其中，所述第一光吸收层具有比所述第一导电半导体层的铝组分低的铝组分，所述第二光吸收层具有比所述第一光吸收层的铝组分高的铝组分。
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