恭喜英飞凌科技股份有限公司A.比尔纳获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利包括LDMOS晶体管的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010855081.9，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权包括LDMOS晶体管的半导体装置是由A.比尔纳;M.布劳恩;H.布雷赫;C.埃克尔;M.齐格尔德伦设计研发完成，并于2017-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括LDMOS晶体管的半导体装置在说明书摘要公布了：本发明涉及包括LDMOS晶体管的半导体装置。在实施例中，一种半导体装置包括：半导体衬底，具有体电阻率ρ≥100Ohm.cm、前表面和后表面；至少一个LDMOS晶体管，位于半导体衬底中；和RESURF结构。RESURF结构包括掺杂掩埋层，掺杂掩埋层被布置在半导体衬底中，与前表面和后表面分隔开一定距离，并且与LDMOS晶体管的沟道区域和主体接触区域中的至少一个区域耦合。
本发明授权包括LDMOS晶体管的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：半导体衬底，具有体电阻率ρ≥100Ohm.cm、前表面和后表面；半导体衬底中的侧向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管；和降低表面场RESURF结构，包括布置在半导体衬底中的掺杂掩埋层，其中LDMOS晶体管包括：掺杂有第一导电型的主体接触区域；以及设置在所述主体接触区域中并掺杂有与所述第一导电型相反的第二导电型的源极区域，其中源极区域包括相同第二导电型的第一阱和第二阱，其中第一阱比第二阱被更加高度地掺杂，其中第一阱沿朝向LDMOS晶体管的栅极的源极侧的方向从主体接触区域的内部延伸到主体接触区域的侧向范围的外部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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