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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110911347B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811072225.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法，包括：提供一基底；形成介电层于所述基底上，所述介电层中具有沟槽；形成阻碍层于所述介电层及所述沟槽表面；形成扩散阻挡层于所述阻碍层上；形成第一钨种子层于所述扩散阻挡层上；形成第二钨种子层于所述第一钨种子层上；及形成金属钨块材于所述第二钨种子层上；其中，所述第一钨种子层不含硼，所述第二钨种子层含硼。采用本发明的方法可有效解决现有技术中采用硼烷作为前驱体沉积形成的钨薄膜在后续CMP过程中易剥离的问题。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，包括：提供一基底；形成介电层于所述基底上，所述介电层中具有沟槽；形成阻碍层于所述介电层及所述沟槽表面；通入硅烷气体对所述阻碍层表面进行预处理以形成扩散阻挡层，所述扩散阻挡层为硅原子层；通入第一气体于所述硅原子层上，沉积反应以形成第一钨种子层；通入第二气体和硼烷气体于所述第一钨种子层上，沉积反应以形成第二钨种子层；及通入第三气体和氢气于所述第二钨种子层上，沉积反应以形成金属钨块材；其中，所述第一钨种子层不含硼，所述第二钨种子层含硼，所述沉积为化学气相沉积或原子气相沉积；所述第二钨种子层以原子气相沉积法形成，所述硼烷气体与所述第二气体依次通入进行2~10个脉冲循环，1个所述脉冲循环包括：通入所述硼烷气体1~5s后，进行惰性气体吹扫3~5s；再通入所述第二气体0.2~1s后，进行惰性气体吹扫2~5s；所述第一气体、所述第二气体和所述第三气体均为六氟化钨。

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