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龙图腾网恭喜奈克斯沃夫有限公司申请的专利用于对工件的半导体层进行单侧蚀刻的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112335026B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980033126.X，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权用于对工件的半导体层进行单侧蚀刻的装置和方法是由S·瑞伯;K·席林格;B·赖赫特;N·米伦科维奇设计研发完成，并于2019-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于对工件的半导体层进行单侧蚀刻的装置和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于蚀刻工件的半导体层的一侧的装置，该装置包括：至少一个蚀刻池，用于容纳电解液；第一电极，被提供以用于在使用期间电接触蚀刻池中的电解液；至少一个第二电极，被提供以用于间接或直接与半导体层电接触；至少一个电功率源，用于导电地连接第一和第二电极，以产生蚀刻电流；以及至少一个运送装置，用于相对于蚀刻池来运送工件，使得在使用期间要蚀刻的半导体层蚀刻侧能通过蚀刻池中的电解液进行润湿。本发明的特征在于，运送装置具有用于工件的负压保持元件，该负压保持元件构造成通过负压将工件布置在与蚀刻侧相对的保持侧上，且第二电极设置在该负压保持元件上，使得在工件设置在负压保持元件上时通过第二电极接触工件的保持侧。本发明还涉及用于蚀刻工件的半导体层的一侧的方法。

本发明授权用于对工件的半导体层进行单侧蚀刻的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于对工件的半导体层进行单侧蚀刻的装置，所述装置包括：至少一个蚀刻池（1），用于容纳电解液，第一电极，被设置成用于在使用期间电接触所述蚀刻池（1）中的所述电解液，至少一个第二电极，被设置成用于间接地或直接地与所述半导体层电接触，至少一个电流源，用于与所述第一电极和所述第二电极电连接，以便产生蚀刻电流，以及至少一个运送装置，用于相对于所述蚀刻池（1）来运送工件，使得在使用期间所述半导体层的要蚀刻的蚀刻侧能通过所述蚀刻池（1）中的电解液进行润湿，其特征在于，所述运送装置具有用于所述工件（2）的负压保持元件（6），所述负压保持元件（6）构造成通过负压将所述工件设置在与所述蚀刻侧相对的保持侧上，并且所述第二电极（8）设置在所述负压保持元件（6）上，使得在所述工件（2）被设置在所述负压保持元件（6）上时通过所述第二电极接触所述工件的保持侧；所述装置还包括冲刷气体装置（14），用于在抽吸过程和或蚀刻过程之前和或期间来清理冲刷所述工件（2）与所述第二电极（8）之间的接触面。

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