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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法及形成存储器单元阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113169168B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980080905.5，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法及形成存储器单元阵列的方法是由S·查杰德;A·A·恰范;M·费希尔;D·V·N·拉马斯瓦米设计研发完成，并于2019-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法及形成存储器单元阵列的方法在说明书摘要公布了：一种形成电容器阵列的方法包括形成多个水平间隔开的群组，所述多个水平间隔开的群组个别地包括上方具有电容器绝缘体的多个水平间隔开的下部电容器电极。所述群组中的邻近者比所述群组内的所述下部电容器电极中的邻近者水平间隔开更远。空隙空间位于所述邻近群组之间。在所述空隙空间中以及在所述群组中在所述电容器绝缘体及所述下部电容器电极上方形成上部电容器电极材料。所述空隙空间中的所述上部电容器电极材料与所述邻近群组中的所述上部电容器电极材料相对于彼此连接。所述上部电容器电极材料未填满所述空隙空间。从所述空隙空间移除所述上部电容器电极材料的至少一部分以将所述邻近群组中的所述上部电容器电极材料相对于彼此断开连接。在所述群组中的个别者中的所述上部电容器电极材料的顶部上形成水平伸长的导电线，所述水平伸长的导电线直接电耦合到所述上部电容器电极材料。本发明揭示其它方法，包含不依赖于制造方法的结构。

本发明授权电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法及形成存储器单元阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成电容器阵列的方法，其包括：形成多个水平间隔开的群组，所述多个水平间隔开的群组个别地包括上方具有电容器绝缘体的多个水平间隔开的下部电容器电极，所述群组中的邻近者比所述群组内的所述下部电容器电极中的邻近者水平间隔开更远，未填充的空隙空间位于所述邻近群组之间，所述未填充的空隙空间包括低于所述下部电容器电极的顶部的至少一部分；在所述空隙空间中的低于所述下部电容器电极的所述顶部的所述部分中以及在所述群组中在所述电容器绝缘体及所述下部电容器电极上方形成上部电容器电极材料，所述空隙空间中的所述上部电容器电极材料与所述邻近群组中的所述上部电容器电极材料相对于彼此连接，所述上部电容器电极材料未填满所述空隙空间中的低于所述下部电容器电极的所述顶部的所述部分；从所述空隙空间中的低于所述下部电容器电极的所述顶部的所述部分移除所述上部电容器电极材料的至少一部分以将所述邻近群组中的所述上部电容器电极材料相对于彼此断开连接；及在所述群组中的个别者中的所述上部电容器电极材料的顶部上形成水平伸长的导电线，所述水平伸长的导电线直接电耦合到所述上部电容器电极材料。

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