恭喜美光科技公司V·马奇考乌特森获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利三维动态随机存取存储器阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113366637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980090565.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权三维动态随机存取存储器阵列是由V·马奇考乌特森;R·J·希尔设计研发完成，并于2019-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维动态随机存取存储器阵列在说明书摘要公布了：公开了包含嵌入在分层衬底组合件的多个装置层级处的单晶体管单电容器1T1C胞元的单片集成的三维3DDRAM阵列结构。在一些实施例中，延伸穿过所述衬底组合件的竖直导电数据线柱和接地柱提供晶体管源极和接地电压，并且多个装置级处的水平导电存取线提供晶体管栅极电压。还描述了用于制作所述3DDRAM阵列的工艺流程。
本发明授权三维动态随机存取存储器阵列在权利要求书中公布了：1.一种三维DRAM阵列，其包括：衬底组合件，所述衬底组合件包括通过介电分离级彼此竖直分离的多个装置层级，所述装置层级中的每个装置层级包括介电装置级和竖直邻近所述介电装置级的至少一个导电装置级；导电数据线柱，所述导电数据线柱竖直延伸穿过所述装置层级和所述介电分离级的至少一部分，所述数据线柱沿多个第一行间隔开；导电接地柱，所述导电接地柱竖直延伸穿过所述装置层级和所述介电分离级的至少一部分，所述接地柱沿多个第二行间隔开，所述第一行和所述第二行两者在第一水平方向上延伸并且在第二水平方向上彼此交替；以及形成于所述装置层级内的存储器胞元，所述存储器胞元中的每个存储器胞元至少部分地围绕所述导电数据线柱中的相应的一个导电数据线柱并且包括电连接在所述数据线柱与所述接地柱中的一或多个接地柱之间的晶体管和电容器，其中所述存储器胞元包括在所述第一水平方向上延伸的存储器胞元行，并且其中位于每一行内且位于某一层级内的所述存储器胞元的晶体管共享公共存取线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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