恭喜英飞凌科技股份有限公司C.伦德茨获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有SCHOTTKY接触的碳化硅器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111415983B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010005313.1，技术领域涉及：H10D62/80；该发明授权具有SCHOTTKY接触的碳化硅器件是由C.伦德茨;R.埃尔佩尔特;R.埃斯特韦;T.加纳;J.P.孔拉特;L.韦尔哈恩-基利安设计研发完成，并于2020-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有SCHOTTKY接触的碳化硅器件在说明书摘要公布了：具有SCHOTTKY接触的碳化硅器件。一种碳化硅器件（500）包括碳化硅本体（100），该碳化硅本体（100）包括第一导电类型的源极区（110）、第一导电类型的阴极区（160）和第二导电类型的分离区（140）。条形栅极结构（150）沿第一方向（291）延伸并直接邻接源极区（110）和分离区（140）。碳化硅器件（500）还包括第一负载电极（310）。沿着第一方向（291），阴极区（160）位于分离区（140）中的两个分离区之间，并且分离区（140）中的至少一个分离区位于阴极区（160）和源极区（110）之间。源极区（110）和第一负载电极（310）形成欧姆接触（OC），并且第一负载电极（310）和阴极区（160）形成Schottky接触（SC）。
本发明授权具有SCHOTTKY接触的碳化硅器件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅器件500，包括：碳化硅本体100，包括第一导电类型的源极区110、第一导电类型的阴极区160和第二导电类型的分离区140，条形栅极结构150，沿第一方向291延伸并且直接邻接源极区110和分离区140，以及第一负载电极310，其中，沿着第一方向291，阴极区160位于分离区140中的两个之间，并且分离区140中的至少一个位于阴极区160和源极区110之间，以及其中，源极区110和第一负载电极310形成欧姆接触OC，并且第一负载电极310和阴极区160形成Schottky接触SC。
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