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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利功率半导体器件和处理功率半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111584614B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010092786.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权功率半导体器件和处理功率半导体器件的方法是由P.C.布兰特;M.普法芬莱纳;F.D.普菲尔施;F.J.桑托斯罗德里格斯;S.施密特;F.乌姆巴赫设计研发完成，并于2020-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件和处理功率半导体器件的方法在说明书摘要公布了：功率半导体器件包括半导体本体并且呈现有源区和边缘终止区，其中，在有源区内，半导体本体包括第一导电类型的漂移区，并且其中边缘终止区包括：第二导电类型的保护区，该保护区在半导体本体的前侧处被包括在半导体本体中并且围绕有源区；以及场板沟槽结构，其从前侧竖直延伸到半导体本体中并且至少部分地填充有导电材料，导电材料与保护区电连接并且通过场板绝缘结构与保护区外部的半导体本体绝缘，其中，场板沟槽结构的第一部分至少部分地延伸到保护区中，并且至少部分地布置在布置于前侧处的金属层下方；以及场板沟槽结构的第二部分延伸到保护区的外部并围绕有源区，其中金属层不在场板沟槽结构的第二部分上方延伸。

本发明授权功率半导体器件和处理功率半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件1，包括半导体本体10并且呈现有源区16和边缘终止区17，其中，在有源区16内，半导体本体10包括第一导电类型的漂移区，并且其中边缘终止区17包括：-第二导电类型的保护区107，所述保护区107在所述半导体本体10的前侧10-1处被包括在所述半导体本体10中并且围绕所述有源区16；以及-场板沟槽结构172，从所述前侧10-1竖直延伸到所述半导体本体10中，并且至少部分地填充有导电材料173，所述导电材料173与所述保护区107电连接并且通过场板绝缘结构1725与所述保护区107外部的所述半导体本体10绝缘，其中-所述场板沟槽结构172的第一部分1721至少部分地延伸到所述保护区107中，并且至少部分地布置在布置于所述前侧10-1处的金属层174下方；以及-所述场板沟槽结构172的第二部分1722延伸到所述保护区107的外部，并且围绕所述有源区16，其中所述金属层174不在所述场板沟槽结构172的所述第二部分1722上方延伸。

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