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龙图腾网恭喜佛山眼图科技有限公司申请的专利光电传感器、可随机读取有源像素电路、图像传感器和相机装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111403428B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010208160.0，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权光电传感器、可随机读取有源像素电路、图像传感器和相机装置是由王凯;齐一泓设计研发完成，并于2020-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电传感器、可随机读取有源像素电路、图像传感器和相机装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种光电传感器、可随机读取有源像素电路、图像传感器和相机装置。光电传感器包括掺杂区、衬底、掺杂源区、掺杂漏区和两隔离区；掺杂区设置于衬底底面，以与衬底形成光电二极管；且掺杂区形成有光电二极管的阴极，阴极用于接入正电压以使光电二极管工作在反偏区域；掺杂源区和掺杂漏区间隔设置于衬底的顶部，以与衬底形成场效应晶体管；掺杂源区顶面形成源极，掺杂漏区顶面形成漏极；两隔离区分别位于衬底的相对两侧，并分别自上而下从掺杂源区和掺杂漏区延伸至掺杂区处；衬底顶面自下而上依次形成有设置于掺杂源区和掺杂漏区之间的栅绝缘层和栅极；栅极用于接入电压以选择场效应晶体管的工作状态处于宽动态响应范围模式或高增益模式。

本发明授权光电传感器、可随机读取有源像素电路、图像传感器和相机装置在权利要求书中公布了：1.一种可随机读取有源像素电路，其特征在于，包括选通管和光电传感器；所述光电传感器包括掺杂区、衬底、掺杂源区、掺杂漏区和两隔离区；所述掺杂区设置于衬底底面，以与衬底形成光电二极管；且所述掺杂区形成有光电二极管的阴极，所述阴极用于接入正电压以使光电二极管工作在反偏区域；所述掺杂源区和所述掺杂漏区间隔设置于所述衬底的顶部，以与衬底形成场效应晶体管；所述掺杂源区顶面形成有源极，所述掺杂漏区顶面形成有漏极；所述两隔离区分别位于衬底的相对两侧，并分别自上而下从掺杂源区和掺杂漏区延伸至掺杂区处，用以隔离相邻像素或相邻传感器；所述衬底顶面自下而上依次形成有设置于掺杂源区和掺杂漏区之间的栅绝缘层和栅极；所述栅极用于接入电压以选择场效应晶体管的工作状态处于宽动态响应范围模式或高增益模式；所述选通管的漏极与所述光电传感器的源极电连接，选通管的源极作为电路输出端，选通管的栅极用于接入正电压以使电路导通或接入负电压以使电路断开；所述光电传感器中，阴极与漏极串接。

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