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龙图腾网恭喜中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068276B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010777454.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法是由孙祥;段蛟;陈星建设计研发完成，并于2020-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种半导体零部件，包括零部件本体，零部件本体表面具有耐等离子体涂层，耐等离子体涂层包括至少两种稀土金属元素的氧化物、氧氟化物或氟化物中的一种或多种，其中一种稀土元素为铈元素，铈元素使氧空位的活性较高，活性较高的氧空位能够分解等离子体环境中的碳氟聚合物。由于铈元素具有化学价态可调的性质，并且在等离子体反应装置中的工作环境下，具有易释放晶格氧和恢复晶格氧的特点，因此在刻蚀过程中能够将碳氟聚合物分解为气体，将等离子体作用下生成的氟化物还原为氧化物，进而防止碳氟聚合物和氟化物以颗粒的形式脱落，避免反应腔内环境污染。

本发明授权半导体零部件、等离子体反应装置和涂层形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体零部件，包括零部件本体，其特征在于，所述零部件本体表面具有耐等离子体涂层，所述耐等离子体涂层包括至少两种稀土金属元素的氧化物，其中一种稀土元素为铈元素，所述耐等离子体涂层中的铈元素具有化学价态可调的性质，所述耐等离子体涂层受到等离子体轰击后产生活性较高的氧空位，所述铈元素使氧空位的活性高，活性高的氧空位能够打开等离子体环境中碳氟聚合物的碳氟键，形成气态小分子，所述耐等离子体涂层为铈-镥固溶体、铈-锆固溶体和铈-镥-锆固溶体中的一种或多种，所述铈-镥固溶体的化学式为LuaCebO1.5，其中0.4a1，a+b＝1，所述铈-锆固溶体的化学式为ZraCebO2，其中0.4a1，a+b＝1，所述铈-镥-锆固溶体的化学式为LuaCebZrcO1.5，其中0.4a1，a+b+c＝1。

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