恭喜长鑫存储技术有限公司夏云升获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078717B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010804638.6，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体结构是由夏云升设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体结构，所述半导体结构包括：位于厚度大于1.2um的光刻胶层中沿第一方向排列的若干个第一图案和沿第二方向排列的若干个第二图案，所述第一方向与所述第二方向具有夹角；所述第一图案在所述第一方向上具有第一排列长度，所述第二图案在所述第二方向上具有第二排列长度，所述第一图案和所述第二图案的面积之和小于所述第一排列长度与所述第二排列长度乘积的12。本申请中光刻胶为第一图案及第二图案提供了良好的支撑，避免在高能量曝光时导致部分标记图形出现变形或叠影而产生降低量测效率及精确度的情况，从而提高制成半导体器件的良品率。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：位于厚度大于1.2um的光刻胶层中沿第一方向排列的若干个第一图案和沿第二方向排列的若干个第二图案，所述第一方向与所述第二方向具有夹角；所述第一图案在所述第一方向上具有第一排列长度，所述第二图案在所述第二方向上具有第二排列长度，各所述第一图案和各所述第二图案的面积之和小于所述第一排列长度与所述第二排列长度乘积的12；所述第二图案为光刻胶图案，所述光刻胶图案为矩形光刻胶图形，所述第二图案的宽度大于相邻的两个所述第二图案之间的间距。
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