恭喜半导体元件工业有限责任公司A·康斯坦丁欧夫获国家专利权
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龙图腾网恭喜半导体元件工业有限责任公司申请的专利碳化硅场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447857B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010831043.X，技术领域涉及：H10D30/80；该发明授权碳化硅场效应晶体管是由A·康斯坦丁欧夫设计研发完成，并于2020-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅场效应晶体管在说明书摘要公布了：本公开涉及碳化硅场效应晶体管。在一般方面，一种碳化硅场效应晶体管可包括：第一导电类型的基板；设置在基板上的第一导电类型的漂移区；设置在漂移区中的第一导电类型的扩散层；设置在扩散层中的第二导电类型的主体区；以及设置在主体区中的第一导电类型的源极区。该碳化硅场效应晶体管还可包括：设置在源极区、主体区和扩散层上的第一导电类型的隔层；和设置在隔层中的第一导电类型的侧向沟道区。该碳化硅场效应晶体管还可包括栅极结构，该栅极结构包括：设置在侧向沟道区上的氮化铝层；和设置在氮化铝层上的第二导电类型的氮化铝镓层。
本发明授权碳化硅场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅场效应晶体管，包括：第一导电类型的基板；第一导电类型的漂移区，所述第一导电类型的漂移区设置在所述基板上；第一导电类型的扩散层，所述第一导电类型的扩散层设置在所述漂移区中；第二导电类型的主体区，所述第二导电类型的主体区设置在所述扩散层中；第一导电类型的源极区，所述第一导电类型的源极区设置在所述主体区中；第一导电类型的隔层，所述第一导电类型的隔层设置在所述源极区、所述主体区和所述扩散层上；第一导电类型的侧向沟道区，所述第一导电类型的侧向沟道区设置在所述隔层中；和栅极结构，所述栅极结构包括：氮化铝层，所述氮化铝层设置在所述侧向沟道区上；和第二导电类型的氮化铝镓层，所述第二导电类型的氮化铝镓层设置在所述氮化铝层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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