恭喜台湾积体电路制造股份有限公司吴俊廷获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257811B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011320889.3，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件及其形成方法是由吴俊廷;苏钦豪;王志彬设计研发完成，并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例涉及半导体器件及其形成方法。半导体器件包括第一导电部件和第二导电部件。第一钝化层位于第一导电部件和第二导电部件之间。第二钝化层位于第一导电部件和第二导电部件之间并且在第一钝化层上方。第一钝化层接触第二钝化层的界面的最低部分位于第一导电部件的高度的40％以下或60％以上。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：第一导电部件；第二导电部件；第一钝化层，位于所述第一导电部件和所述第二导电部件之间并且覆盖所述第一导电部件和所述第二导电部件；以及第二钝化层，位于所述第一导电部件和所述第二导电部件之间并且在所述第一钝化层上方，其中，所述第一钝化层与所述第二钝化层接触的第一界面的最低部分位于所述第一导电部件的高度的40％以下，第三钝化层，位于所述第一导电部件和所述第二导电部件之间并且在所述第二钝化层上方，所述第二钝化层与所述第三钝化层接触的第二界面的最低部分位于所述第一导电部件的高度的60％以上，应力集中区域，定义在所述第一导电部件和所述第二导电部件的高度的40％到60％之间，并且其中，在所述第一导电部件和所述第二导电部件之间，所述第二界面由所述第一界面围绕并且所述第一界面的最低部分和所述第二界面的最低部分位于所述应力集中区域的外部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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