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龙图腾网恭喜杭州士兰集昕微电子有限公司;杭州士兰集成电路有限公司申请的专利瞬间电压抑制器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664817B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210215617.X，技术领域涉及：H10D84/60；该发明授权瞬间电压抑制器件及其制造方法是由王英杰设计研发完成，并于2022-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本瞬间电压抑制器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种瞬间电压抑制器件及其制造方法，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的隔离层和外延层；多个隔离结构，贯穿外延层并延伸至隔离层中，将器件在横向方向上分为第一区域、第二区域和第三区域；多个第一沟槽结构，位于第一区域和第三区域中，贯穿外延层、隔离层并延伸至半导体衬底中；阱区，位于第一区域的外延层中；第一注入区和第二注入区，位于第一区域和第二区域中；第三注入区，位于阱区两侧的外延层中，在阱区中第一注入区位于第二注入区的两侧。本申请通过第一沟槽结构将硅控整流单元的负极以及二极管的阳极从器件的背面引出，外延层上方的第一互联线没有限制，可以增加硅控整流单元的正极的电极宽度，降低单位面积电流密度。

本发明授权瞬间电压抑制器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种瞬间电压抑制器件，其特征在于，包括：半导体衬底，具有第一导电类型；隔离层，位于所述半导体衬底上；外延层，位于所述隔离层上；多个隔离结构，贯穿所述外延层并延伸至所述隔离层中，所述多个隔离结构将所述瞬间电压抑制器件在横向方向上分为多个区域，所述多个区域包括第一区域、第二区域和第三区域，其中，所述第一区域的至少一侧设置有所述第二区域和所述第三区域，所述第二区域与所述第一区域相邻，所述第三区域与所述第二区域相邻并远离所述第一区域，且所述第三区域位于所述瞬间电压抑制器件的最外侧；多个第一沟槽结构，位于第一区域中以及所述第三区域中，贯穿所述外延层、隔离层并延伸至所述半导体衬底中；阱区，位于所述第一区域中，从所述外延层的表面朝半导体衬底方向延伸；第一注入区，位于第一区域的阱区中和第二区域的外延层中，具有第二导电类型；第二注入区，位于第一区域的阱区中和第二区域的外延层中，具有第一导电类型；第三注入区，位于第一区域的所述阱区两侧的外延层中；其中，在所述阱区中，所述第一注入区位于所述第二注入区的两侧。

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