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龙图腾网恭喜无锡麟聚半导体科技有限公司申请的专利基于硅基Micro LED的触觉传感器阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759021B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210420527.4，技术领域涉及：H01L25/16；该发明授权基于硅基Micro LED的触觉传感器阵列及其制备方法是由刘桂芝;王冬峰设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于硅基Micro LED的触觉传感器阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于硅基MicroLED的触觉传感器阵列及其制备方法，其中触觉传感器阵列包括呈规则分布的触觉传感器件单元，触觉传感器件单元用于实现触觉传感功能，其分布密度决定了触觉传感器的分辨率。本发明采用硅基外延片，使得光的直接耦合减少，有利于降低传感器的本底噪声；利用MEMS工艺技术，最终得到的器件体积小、重量轻，并且可以通过批量化生产降低生产成本，有利于本发明的应用与推广；基于光电式检测原理，本发明的触觉传感器阵列具有分辨率和灵敏度高、响应速度快以及抗电磁干扰能力强的优势；本发明的触觉传感器阵列尺寸可以根据制备的工艺能力进行缩放，通过大规模高密度的集成，从而实现高分辨率的触觉传感功能。

本发明授权基于硅基Micro LED的触觉传感器阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硅基MicroLED的触觉传感器阵列，其特征在于，所述基于硅基MicroLED的触觉传感器阵列包括：呈规则分布的触觉传感器件单元（1）；所述触觉传感器件单元（1）包括两个MicroLED，其中一个所述MicroLED作为MicroLED光源（3），另一个所述MicroLED作为MicroLED探测器（4）；所述MicroLED光源（3）包括：光源有源层，所述光源有源层自下而上依次包括光源P型GaN层（5）、光源多量子阱层（6）及光源N型GaN层（7）；光源正电极（8），位于所述光源P型GaN层（5）下方；光源负电极（9），与所述光源N型GaN层（7）下方直接接触，且与由所述光源P型GaN层（5）及所述光源多量子阱层（6）构成的平台之间具有间隔；平坦化介质层（21），覆盖于所述光源正电极（8）及所述光源负电极（9）下方；光源正键合电极（10），位于所述光源正电极（8）下方，所述光源正键合电极（10）包括两部分，柱状部分贯穿所述平坦化介质层（21），另一部分覆盖于所述平坦化介质层（21）表面；光源负键合电极（11），位于所述光源负电极（9）下方，所述光源负键合电极（9）包括两部分，柱状部分贯穿所述平坦化介质层（21），另一部分覆盖于所述平坦化介质层（21）表面；光源非有意掺杂GaN层（12）及光源材料缓冲层（13），依次位于所述光源N型GaN层（7）上方；所述MicroLED探测器（4）与所述MicroLED光源（3）结构相同，且所述MicroLED探测器（4）位于所述MicroLED光源（3）侧边；所述触觉传感器件单元（1）还包括：硅衬底层（28），位于所述光源材料缓冲层（13）上方，所述硅衬底层（28）上设置有2个通孔，分别位于两个所述MicroLED的有源层上方，其中一个所述通孔暴露所述MicroLED光源（3），另一个所述通孔暴露所述MicroLED探测器（4），所述MicroLED光源（3）出射的部分光源经过反射层（30）反射至所述MicroLED探测器（4）上；透光层（29），所述透光层（29）用于填充所述硅衬底层（28）的所述通孔，并覆盖于所述硅衬底层（28）的上表面；可见光反射层（30）及接触保护层（31），依次位于所述透光层（29）上方。

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