恭喜中国科学技术大学王凌飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学技术大学申请的专利一种用于制备自支撑薄膜的高性能水溶性牺牲材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117534099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311507798.4，技术领域涉及：H10F77/169；该发明授权一种用于制备自支撑薄膜的高性能水溶性牺牲材料及其制备方法与应用是由王凌飞;章金凤;王傲设计研发完成，并于2023-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于制备自支撑薄膜的高性能水溶性牺牲材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提出了一种用于制备自支撑薄膜的高性能水溶性牺牲材料及其制备方法与应用。Sr4Al2O7薄膜是在较低的激光能量密度和一定氧气氛围条件下使用Sr3Al2O6或Sr4Al2O7多晶靶材制备的，获得的Sr4Al2O7与ABO3钙钛矿具有更强的界面结合能，并且在失配应变下更容易发生形变，能在晶胞参数为范围内衬底上高质量外延生长。ABO3Sr4Al2O7异质结的相干外延生长抑制了目标氧化物薄膜在剥离转移剥离中裂纹的形成，即使是晶格常数范围较宽的非铁电氧化物膜，获得的自支撑薄膜无裂纹区域可达毫米尺寸。此外，Sr4Al2O7具有较高的水溶性，能够显著促进氧化物薄膜剥离过程。有益效果：Sr4Al2O7薄膜是一种通用且高效的牺牲层，能够制备出与外延薄膜相媲美的高完整性自支撑氧化物薄膜。
本发明授权一种用于制备自支撑薄膜的高性能水溶性牺牲材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种高性能水溶性牺牲材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）以SrCO3，Al2O3为初始原料，按照SrCO3:Al2O3摩尔质量比为3:1或4:1进行配料，然后进行混料、研磨，预煅烧，压制成型，并烧结；预煅烧温度为900~1200℃，保温6~12h，烧结温度为1200~1500℃，保温12~24h；（2）以步骤（1）中烧结的Sr3Al2O6或Sr4Al2O7为靶材，采用脉冲激光沉积法在单晶衬底表面进行沉积，形成Sr4Al2O7单晶薄膜；所述Sr4Al2O7单晶薄膜为正交相；激光的频率为1~8Hz，激光能量密度为0.8~3.0Jcm2。
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