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龙图腾网恭喜合肥工业大学申请的专利一种CMOS低电压高阶温度补偿的电压基准源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119376482B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411957320.6，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种CMOS低电压高阶温度补偿的电压基准源是由张章;孙德凯;韦玲玲设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS低电压高阶温度补偿的电压基准源在说明书摘要公布了：本发明涉及一种CMOS低电压高阶温度补偿的电压基准源。所述的电压基准源包括：电压基准启动电路、带启动电路和偏置电路的运算放大器、温度正相关电路、有源负载电路。电压基准启动电路用于使电压基准源离开简并点引起的不正常状态。带启动电路和偏置电路的运算放大器使温度正相关电路正常工作。温度正相关电路产生温度正相关的电流和电压。温度正相关的电流和电压在有源负载电路上产生高阶温度补偿的电压基准。本发明可在低电源电压下工作，采用高阶温度补偿降低了电压基准源的温漂。

本发明授权一种CMOS低电压高阶温度补偿的电压基准源在权利要求书中公布了：1.一种CMOS低电压高阶温度补偿的电压基准源，所述的电压基准源包括：电压基准启动电路、带启动电路和偏置电路的运算放大器、温度正相关电路、有源负载电路；电压基准启动电路用于使电压基准源离开简并点引起的不正常状态；带启动电路和偏置电路的运算放大器使温度正相关电路正常工作；温度正相关电路产生温度正相关的电流和电压；温度正相关电路产生的电压和电流在有源负载电路上产生高阶温度补偿的电压基准；温度正相关电路产生的温度正相关的电压同有源负载电路的有源负载PMOS晶体管的温度负相关的阈值电压相加形成电压基准；温度正相关电路产生的温度正相关的电流在有源负载电路的有源负载PMOS晶体管上形成过驱动电压，该过驱动电压对电压基准进行高阶温度补偿；电压基准的输出电压为温度正相关电路产生的温度正相关的电压、有源负载电路的有源负载PMOS晶体管的温度负相关的阈值电压、有源负载PMOS晶体管的过驱动电压三者相加形成的高阶温度补偿的电压基准。

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