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龙图腾网恭喜苏州立琻半导体有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921669B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111180679.3，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权半导体器件是由吴政勋设计研发完成，并于2017-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：在实施例中公开一种半导体器件，包括：衬底；第一和第二半导体层，其被排列在衬底上并且具有不同的导电类型；第三半导体层，其被排列在第一半导体层和第二半导体层之间；第一电极，其被排列在第一半导体层上以便被电连接到第一半导体层；第二电极，其被排列在第二半导体层上以便被电连接到第二半导体层；以及第一绝缘层，其在暴露的第一、第二和第三半导体层上被排列在第一电极和第二电极之间，其中第一电极的两个端部之中的靠近第二电极的第一端部和第二电极的靠近第一电极的第二端部中的至少一个具有电场分散部。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底；第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层被布置在所述衬底上并且具有不同导电类型；第三半导体层，所述第三半导体层被布置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；第一电极，所述第一电极被布置在所述第一半导体层上并且被电连接到所述第一半导体层；第二电极，所述第二电极被布置在所述第二半导体层上并且被电连接到所述第二半导体层；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层被布置在所述第一电极和所述第二电极之间暴露的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层上，其中，所述第一电极的两个端部之中的靠近所述第二电极的第一端部和所述第二电极的靠近所述第一电极的第二端部中的至少一个具有电场分散部，以及其中，所述第一端部和所述第二端部相对设置。

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