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龙图腾网恭喜广东工业大学申请的专利一种同侧结构的深紫外LED外延结构制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108400133B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810450187.3，技术领域涉及：H10H29/10；该发明授权一种同侧结构的深紫外LED外延结构制备方法是由何苗;杨思攀;赵韦人;王成民设计研发完成，并于2018-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种同侧结构的深紫外LED外延结构制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种同侧结构的深紫外LED外延结构及制备方法，其中，外延结构包括蓝宝石衬底、设置在蓝宝石衬底上表面的LED外延主体和另一侧的静电保护二极管主体，静电保护二极管主体与LED外延主体反向并联，LED外延主体的第一P型电极、第一N型电极及静电保护二极管主体的第二P型电极、第二N型电极设置所在层的同侧，第一P型电极与第二N型电极连接，第一N型电极与静电保护二极管主体的第二P型电极连接，还包括设置在LED外延主体和静电保护二极管主体的台面、侧壁的钝化层。通过反向并联静电保护二极管，减小了静电放电、脉冲电流和浪涌电压等危害对LED芯片的直接冲击影响，提高了LED的可靠性。

本发明授权一种同侧结构的深紫外LED外延结构制备方法在权利要求书中公布了：1.一种同侧结构的深紫外LED外延结构制备方法，其特征在于，包括：步骤1，刻蚀设置在蓝宝石衬底上表面的LED外延主体的一端至N型AlGaN层形成第一N型台面主体，用于设置在所述LED外延主体的第一N型电极；步骤2，将基于Si衬底外延生长的静电保护二极管主体通过上表面的p型Si衬底层设置在所述蓝宝石衬底下表面；步骤3，刻蚀所述静电保护二极管主体的一端至N型欧姆接触层形成台面主体形成第二N型台面主体，用于设置在所述LED外延主体的第二N型电极；步骤4，在所述蓝宝石衬底上设置与所述LED外延主体相邻的通孔，在所述通孔所在台面主体设置第二P型电极，所述第二P型电极通过设置在所述通孔的填充金属接触层或金属合金接触层与所述静电保护二极管主体的P型Si衬底掺杂层连接，在所述通孔的侧壁与所述填充金属接触层或金属合金接触层之间还设置有绝缘层；步骤5，将设置在所述LED外延主体的第一P型电极与所述第二N型电极电气连接，将所述第二P型电极与所述第一N型电极电气连接；所述LED外延主体中包括依次设置在所述蓝宝石衬底上表面的BN缓冲层、AlN层、超晶格主体层、n型AlGaN层、电流扩展层、多量子阱有源区、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN层和导电薄膜层，所述第一P型电极设置在所述导电薄膜层上，所述第一N型电极设置在所述n型AlGaN层的一端刻蚀形成的台面主体上。

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