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龙图腾网恭喜罗姆股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110637374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880032670.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置是由中川让;中野佑纪;明田正俊;上野真弥;森诚悟;山本兼司设计研发完成，并于2018-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明的半导体装置包括：第1导电型的半导体层，其具有一侧的第1主面以及另一侧的第2主面；沟槽栅极构造，其包括形成于上述半导体层的上述第1主面的栅极沟槽、以及经由栅极绝缘层而埋入于上述栅极沟槽的栅极电极；沟槽源极构造，其包括在上述半导体层的上述第1主面从上述栅极沟槽空出间隔地形成为比上述栅极沟槽更深的源极沟槽、埋入于上述源极沟槽的源极电极、以及形成于上述半导体层中沿上述源极沟槽的区域的第2导电型的阱区域，并且，上述沟槽源极构造的深度相对于上述沟槽栅极构造的深度的比为1.5以上且4.0以下；第2导电型的主体区域，其在上述半导体层的上述第1主面的表层部中形成于上述栅极沟槽以及上述源极沟槽之间的区域；第1导电型的源极区域，其形成于上述主体区域的表层部；以及漏电极，其与上述半导体层的上述第2主面连接。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第1导电型的半导体层，其具有一侧的第1主面以及另一侧的第2主面；沟槽栅极构造，其包括形成于上述半导体层的上述第1主面的栅极沟槽、以及经由栅极绝缘层而埋入于上述栅极沟槽的栅极电极；沟槽源极构造，其包括在上述半导体层的上述第1主面从上述栅极沟槽空出间隔地形成为比上述栅极沟槽更深的源极沟槽、埋入于上述源极沟槽的源极电极、以及形成于上述半导体层中沿上述源极沟槽的区域的第2导电型的阱区域，并且，上述沟槽源极构造的深度相对于上述沟槽栅极构造的深度的比为1.5以上且4.0以下；第2导电型的主体区域，其在上述半导体层的上述第1主面的表层部中形成于上述栅极沟槽以及上述源极沟槽之间的区域；第1导电型的源极区域，其形成于上述主体区域的表层部；以及漏电极，其与上述半导体层的上述第2主面连接，上述沟槽源极构造还包括势垒形成层，该势垒形成层介于上述源极沟槽以及上述源极电极之间的区域，具有比上述阱区域以及上述源极电极之间的电位势垒高的电位势垒，上述势垒形成层包括由绝缘材料形成的绝缘性势垒形成层，上述绝缘性势垒形成层包括包覆上述源极沟槽的侧壁的第1部分和与上述第1部分连接且包覆上述源极沟槽的底壁的第2部分，上述第2部分包覆上述源极沟槽的上述底壁的一部分，使剩余的部分露出。

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