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龙图腾网恭喜深圳市时代华影科技股份有限公司申请的专利偏光LED芯片、封装体、模组及显示屏、3D显示装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109448568B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811160704.X，技术领域涉及：G09F9/33；该发明授权偏光LED芯片、封装体、模组及显示屏、3D显示装置及方法是由周永业设计研发完成，并于2018-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本偏光LED芯片、封装体、模组及显示屏、3D显示装置及方法在说明书摘要公布了：本发明适用于光电显示技术领域，提供了一种偏光LED芯片，包括：发光层、反光导电层、衬底；反光导电层和衬底位于发光层的不同侧，衬底远离发光层的一面设有作为偏光LED芯片的出光面的金属线栅偏光层；反光导电层用于将发光层所发出的光线向衬底和金属线栅偏光层所在的一侧反射。本发明通过反光导电层将发光层所发出的光线向衬底和金属线栅偏光层所在的一侧反射，采用衬底和金属线栅偏光层所在的一侧作为偏光LED芯片的出光面，整个出光面上没有电极遮挡，增大了出光的面积。另外，金属线栅偏光层本身不会吸收光能量，被反射回去的线偏振光最终在偏光LED芯片内部还会再次转化为无偏振的光再次被金属线栅偏光层接收，因此光利用率在很大程度上得到提高。

本发明授权偏光LED芯片、封装体、模组及显示屏、3D显示装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种偏光LED封装体，其特征在于，所述偏光LED封装体包括基座，所述基座设有至少一个安装位，每个所述安装位上安装有偏光LED芯片，所述偏光LED芯片被一封装层封装在所述基座上；所述偏光LED芯片包括：发光层、反光导电层、衬底；所述反光导电层和所述衬底位于所述发光层的不同侧，所述衬底远离所述发光层的一面设有金属线栅偏光层，所述金属线栅偏光层作为所述偏光LED芯片的出光面；所述反光导电层用于将所述发光层所发出的光线向所述衬底和所述金属线栅偏光层所在的一侧反射；所述发光层与所述衬底之间设有透明导电层；所述透明导电层上设有第一电极，所述反光导电层上设有第二电极；所述金属线栅偏光层用于从接收到的无偏振光分束出透射的第一线偏振光和反射回所述偏光LED芯片内部的第二线偏振光，被反射回内部的所述第二线偏振光被所述发光层接收或者在芯片内部多次折返后转换为无偏振的光再次被所述金属线栅偏光层接收，其中，所述偏光LED芯片的内部片内部的结构材料设计为不保偏特性以使在芯片内部多次折返的光转换为无偏振光；每个所述安装位还引出有金属引线，所述偏光LED芯片的电极与所述金属引线电连接；在所述封装层内部，所述偏光LED芯片除所述出光面之外的部分都覆盖有用于防止非偏振光外漏的挡光材料。

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