恭喜台湾积体电路制造股份有限公司郑新立获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及半导体制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110783408B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910683436.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及半导体制造方法是由郑新立;张聿骐设计研发完成，并于2019-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例是有关半导体结构及半导体制造方法。所述半导体结构包含：衬底；有源区域，其包含夹置于两个源极漏极区之间的沟道区；绝缘区，其从俯视图围绕所述有源区域；及电介质层，其放置在所述绝缘区与所述源极漏极区之间的界面上方且与所述界面接触。本发明实施例还公开一种制造半导体结构的方法。
本发明授权半导体结构及半导体制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其包括：衬底；有源区域，其包含沟道区及两个源极漏极区，所述沟道区夹置于所述两个源极漏极区之间，其中所述两个源极漏极区包括源极区及漏极区；绝缘区，其从俯视图围绕所述有源区域；及电介质层，其设置为从所述源极区至所述漏极区跨越所述沟道区，其中所述电介质层放置于所述绝缘区与所述源极漏极区之间的第一界面上方且覆盖所述第一界面；其中在所述绝缘区与源极区之间的第二界面垂直于所述第一界面，且所述第二界面的一部分未被所述电介质层覆盖；且在所述绝缘区与漏极区之间的第三界面垂直于所述第一界面，且所述第三界面的一部分未被所述电介质层覆盖，其中从俯视图来看，所述有源区域中的带状区未被所述电介质层覆盖，且所述带状区连续地从所述第二界面沿方向延伸至所述第三界面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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