恭喜美光科技公司史考特·E·西利士获国家专利权
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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利具有半导体氧化物沟道材料的集成组合件和形成集成组合件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113056821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980076134.2，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权具有半导体氧化物沟道材料的集成组合件和形成集成组合件的方法是由史考特·E·西利士;拉玛纳生·甘地;浅野治;李宜芳设计研发完成，并于2019-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有半导体氧化物沟道材料的集成组合件和形成集成组合件的方法在说明书摘要公布了：一些实施例包含一种集成组合件，其具有栅极材料、邻近所述栅极材料的绝缘材料和邻近所述绝缘材料的半导体氧化物。所述半导体氧化物具有接近所述栅极材料且通过所述绝缘材料与所述栅极材料间隔开的沟道区。沿着所述栅极材料的电场诱发所述沟道区内的载流子流动，其中所述载流子流动沿着第一方向。所述半导体氧化物包含晶界，所述晶界具有沿着第二方向延伸的部分，所述第二方向与所述载流子流动的所述第一方向交叉。在一些实施例中，所述半导体氧化物具有晶界，所述晶界沿着所述第一方向延伸且通过所述半导体氧化物的中介部分从所述绝缘材料偏移。所述载流子流动在中介区内且基本上平行于所述晶界。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
本发明授权具有半导体氧化物沟道材料的集成组合件和形成集成组合件的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成组合件，其包括：栅极材料；绝缘材料，其邻近于所述栅极材料；以及多晶半导体氧化物，其邻近于所述绝缘材料；所述半导体氧化物具有相对侧壁表面；所述半导体氧化物与数字线直接接触且具有接近所述栅极材料且至少通过所述绝缘材料与所述栅极材料间隔开的沟道区；其中所述沟道区内的载流子沿着第一方向流动，其中所述多晶半导体氧化物的个别晶粒由晶界在外围定界；所述晶界中的至少一个具有沿着第二方向延伸的部分，其中所述第二方向与所述载流子流动的所述第一方向交叉。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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