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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130738B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911391568.X，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明;杨菁国设计研发完成，并于2019-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底；在所述基底的表面形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层中形成第一开口；在所述第一开口内形成第一电极层；在所述第一电极层的表面依次形成可变电阻介电层、第二电极层以及掩膜层，所述可变电阻介电层延伸至所述第一阻挡层的表面；以及在所述第一阻挡层的表面、所述可变电阻介电层的侧壁、所述第二电极层的侧壁、所述掩模层的侧壁以及所述掩模层的表面形成第二阻挡层。本申请所公开的半导体结构及其形成方法能够在不引入新材料和新工艺的情况下形成RRAM单元的侧墙，并且无需对RRAM单元之外的其他逻辑单元的制造工艺进行适应性调整。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一介质层，所述第一介质层内具有第二开口以及形成在所述第二开口内的第一互连层；在所述基底的表面形成第一阻挡层；在所述第一阻挡层中形成第一开口；在所述第一开口内形成第一电极层，所述第一电极层的面积小于所述第一互连层的面积；在所述第一电极层的表面依次形成可变电阻介电层、第二电极层以及掩膜层，所述可变电阻介电层延伸至所述第一阻挡层的表面，其中所述第二电极层、可变电阻介电层以及第一电极层构成一个RRAM单元；以及在所述第一阻挡层的表面、所述可变电阻介电层的侧壁、所述第二电极层的侧壁、所述掩膜层的侧壁以及所述掩膜层的表面形成第二阻挡层，其中，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层由相同材料构成，所述相同材料为掺碳的氮化硅或碳化硅，所述第二阻挡层与第一阻挡层用作所述RRAM单元的侧墙。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区文昌大道18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。