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龙图腾网恭喜盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利扇出型系统级封装结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111370385B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010285764.5，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权扇出型系统级封装结构及其制作方法是由陈彦亨;林正忠;吴政达设计研发完成，并于2020-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本扇出型系统级封装结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种扇出型系统级封装结构及其制作方法，封装结构包括：重新布线层；金属凸块，形成于重新布线层表面；系统级芯片以及电源管理芯片，与重新布线电性连接；封装层，具有连接槽，连接槽内具有连接焊球；中介基板，与连接焊球电性连接；存储芯片及被动组件，与中介基板电性连接。本发明可实现多种不同的系统功能需求，提高封装结构的性能。本发明通过三维垂直堆叠封装，有效降低封装结构的面积，提高封装结构的集成度，效短芯片之间的传导路径，降低封装结构的功耗，大大降低了封装结构的整体厚度。连接焊球可以通过焊球工艺形成，可以有效增加连接焊球的尺寸，进一步提高传导能力。

本发明授权扇出型系统级封装结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出型系统级封装结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：1）提供一支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；2）提供系统级芯片以及电源管理芯片，将所述系统级芯片以及电源管理芯片粘附于所述分离层上，所述系统级芯片以及电源管理芯片的电极朝上；3）采用封装层封装所述系统级芯片以及电源管理芯片；4）于所述封装层上形成重新布线层，所述重新布线层与所述系统级芯片以及所述电源管理芯片电性连接；5）于所述重新布线层上形成金属凸块，以实现所述重新布线层的电性引出；6）提供一贴膜，将所述重新布线层具有金属凸块的一面粘附于所述贴膜；7）基于所述分离层剥离所述封装层及所述支撑基底；8）于所述封装层中形成连接槽，所述连接槽显露所述重新布线层；9）于所述连接槽中上制作连接焊球，所述连接焊球与所述重新布线层电性相连；10）提供一中介基板，将所述中介基板的第一面接合于所述连接焊球，所述中介基板与所述连接焊球电性相连；11）提供存储芯片及被动组件，将所述存储芯片及所述被动组件接合于所述中介基板的第二面，所述存储芯片及所述被动组件与所述中介基板电性连接；对上述形成的封装结构进行切割，然后剥除所述贴膜，以形成所述扇出型系统级封装结构。

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