恭喜英飞凌科技股份有限公司M·辛德勒获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有集成无源部件的磁场传感器封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111863788B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010326510.3，技术领域涉及：H10N59/00；该发明授权具有集成无源部件的磁场传感器封装件是由M·辛德勒;H·托伊斯;M·韦伯设计研发完成，并于2020-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有集成无源部件的磁场传感器封装件在说明书摘要公布了：本公开涉及一种具有集成无源部件的磁场传感器封装件。磁场传感器封装件包括芯片载体、布置在芯片载体上的磁场传感器、布置在芯片载体上的集成电路以及至少一个集成无源部件，该磁场传感器被设计为用于获取磁场，该集成电路被设计为用于逻辑地处理由磁场传感器提供的传感器信号，该至少一个集成无源部件与磁场传感器或集成电路中的至少一个电耦合。
本发明授权具有集成无源部件的磁场传感器封装件在权利要求书中公布了：1.一种磁场传感器封装件，包括：芯片载体；磁场传感器，被布置在所述芯片载体上，所述磁场传感器被设计为用于获取磁场；集成电路，被布置在所述芯片载体上，所述集成电路被设计为用于逻辑地处理由所述磁场传感器提供的传感器信号；至少一个集成无源部件，所述至少一个集成无源部件与所述磁场传感器或所述集成电路中的至少一个电耦合；第一半导体芯片，被布置在所述芯片载体上，其中所述至少一个集成无源部件被集成到所述第一半导体芯片中；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片与所述第一半导体芯片分离，其中所述磁场传感器和所述集成电路一起被集成在所述第二半导体芯片中，其中所述第二半导体芯片通过一个或多个通孔直接连接到所述第一半导体芯片。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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