恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林士尧获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112151540B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010440341.6，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件及制造方法是由林士尧;高魁佑;赖启胜;林志翰;孙维中;张铭庆;陈昭成设计研发完成，并于2020-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及制造方法。提供了一种半导体器件和方法，由此在衬底的第一区域和第二区域中形成一系列间隔体。第一区域中的一系列间隔体被图案化，而第二区域中的一系列间隔体被保护，以便将第一区域中的间隔体的性质与第二区域中的间隔体的性质分隔开。
本发明授权半导体器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括第一区域中的第一鳍部和第二区域中的第二鳍部；位于所述第一鳍部上方的第一栅极堆叠和位于所述第二鳍部上方的第二栅极堆叠；与所述第一栅极堆叠相邻的第一多个间隔体，所述第一多个间隔体具有第一宽度，其中，所述第一多个间隔体的至少两个间隔体具有与所述第一栅极堆叠实体接触的侧壁；以及与所述第二栅极堆叠相邻的第二多个间隔体，所述第二多个间隔体具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述第二多个间隔体中的第一间隔体将所述第二栅极堆叠与所述第二多个间隔体内的每个其他间隔体间隔开；其中，所述第一多个间隔体包括至少四个间隔体，并且所述第一多个间隔体内的每个间隔体具有与所述第一栅极堆叠实体接触的侧壁。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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